羅姆與日產(chǎn)汽車(chē)共同開(kāi)發(fā)出可靠性高SiC二極管

　　今年五月，羅姆與日產(chǎn)汽車(chē)共同開(kāi)發(fā)出了可靠性高的SiC二極管。采用了日產(chǎn)開(kāi)發(fā)的異質(zhì)結(jié)二極管（Heterojunction Diode，HJD)結(jié)構(gòu)，與以往使用肖特基二極管（Schottky Diode，SBD）的SiC二極管相比，雪崩耐量(Avalanche Capability）提高到了原來(lái)的10倍左右，抗擊穿性大幅提高，達(dá)到了原來(lái)的10倍左右。異質(zhì)結(jié)為聚硅與SiC的組合體。

　　向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減。此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。

　　為了用于混合動(dòng)力車(chē)、燃料電池車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)等的逆變器上，要求使用高耐壓、大電流容量的二極管。而目前主流的硅二極管，其導(dǎo)通電阻高達(dá)5mΩcm2～10mΩcm2，除了會(huì)發(fā)生功率損耗外，還需要對(duì)功率損耗引起的發(fā)熱采取措施。使用SiC時(shí)，不僅可以提高耐壓性，而且還能夠?qū)��?dǎo)通電阻降至1mΩcm2以下，從而降低功耗。不過(guò)，由于雪崩耐量比硅低，因此在用于低溫環(huán)境或啟動(dòng)時(shí)容易產(chǎn)生電壓噪音的車(chē)用逆變器時(shí)，還存在問(wèn)題。

　　此次開(kāi)發(fā)的二極管的芯片特性為5mm見(jiàn)方、耐壓900V、導(dǎo)通電阻0.85mΩcm2�？稍谲�(chē)用逆變器電路中采用可靠性高的SiC二極管，將逆變器電路的能量效率提高約20％，并簡(jiǎn)化散熱板等冷卻裝置，從而使包括周邊裝置的整個(gè)逆變器實(shí)現(xiàn)大幅小型輕量化。