英飛凌發(fā)布用于SiC二極管的新芯片焊接技術(shù)

    英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG Group）在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)“第七屆碳化硅與相關(guān)材料歐洲會(huì)議（ECSCRM）”上發(fā)布了SiC元件與芯片的新焊接技術(shù)（演講序號(hào)：TuLN-2）。封裝時(shí)，引線框架與芯片的焊接不使用普通焊錫，而使用“擴(kuò)散焊（Diffusion Solder）”。與此前的焊錫焊接相比封裝時(shí)有許多優(yōu)點(diǎn)，而且還可提高產(chǎn)品的可靠性。采用該技術(shù)的600V耐壓SiC肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode）“預(yù)定于2008年10月起上市”。

    安裝時(shí)的優(yōu)點(diǎn)方面，安裝后的芯片不易傾斜、幾乎沒(méi)有焊錫焊接時(shí)漏焊的情況等。芯片傾斜會(huì)影響引線鍵合。

    另外，擴(kuò)散焊層還比普通焊錫層薄，肖特基二極管的焊接部分與引線框架的熱阻可降低約40％。這樣，焊接溫度不易上升，可提高二極管的可靠性。最大值為48A的半波電流在10ms內(nèi)流過(guò)時(shí)，使用普通焊錫焊接的溫度可達(dá)近280℃左右，而使用擴(kuò)散焊焊接時(shí)溫度可降至160～170℃。不過(guò)，關(guān)于擴(kuò)散焊層，除位于芯片下面外，“具體實(shí)現(xiàn)方法不便公布”。