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性能優(yōu)勢決定SiC半導體市場規(guī)模將持續(xù)增長

2008/9/26 11:12:53   電源在線網
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  日本矢野經濟研究所公布了電子部件等使用的SiC及GaN等單晶的市場調查結果。被該研究所稱為功能性單晶的寬禁帶(wide gap )半導體用單晶以及非線形光學晶體等,大多尚未達到實用和量產水平。不過,預計今后市場有望擴大的是SiC以及GaN等。

  2006年SiC單晶的市場規(guī)模為40億日元。SiC目前已投產的元件很少,主要用于研究開發(fā)。但是,隨著元件實用化的研發(fā),需求有不斷擴大的傾向,F(xiàn)在,主要供應SiC單晶的廠商是美國Cree。關于今后的市場動向,矢野經濟研究所預計使用硅的高耐壓離散部件將被SiC取代。矢野經濟研究所預計,在2~3年內除了已投產的SiC二極管、MOSFET等的開關部件將量產外,5年后的2013年將形成一定的市場。SiC底板方面,除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的電子部件外,使用GaN的HEMT元件以及發(fā)光元件的底板存在需求。尤其HEMT元件,面向高速通信及手機基站的需求有望增加。矢野經濟研究所預測SiC單晶的市場規(guī)模到2010年將達到105億日元,2015年將達到300億日元。

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