羅姆展示可在200℃下穩(wěn)定運行SiC元件IPM

　羅姆試制了可在200℃下穩(wěn)定運行的SiC元件IPM�！皩�250℃下的運行狀況也進行了確認”。IPM由SiC材質(zhì)的MOSFET功率模塊和柵極驅(qū)動電路構成。該公司在展示試制品的同時，還進行了把MOSFET接合溫度控制在250℃左右時的馬達驅(qū)動演示。不過，實際演示中沒有演示IPM，而是分別進行了功率模塊部分和柵極驅(qū)動電路的運行演示。此次展示的是羅姆與美國阿肯色大學（University of Arkansas）等的共同研發(fā)成果。

　　雖然SiC元件本身可在高溫環(huán)境下運行，但SiC元件的芯片和絕緣底板、絕緣底板和散熱器（Heat Spreader）接合部分、以及模塊封裝以及柵極驅(qū)動電路等均是妨礙高溫運行的主要原因。因此，該公司開發(fā)出提高了耐熱性的接合技術、以及封裝和柵極驅(qū)動電路。改進了焊材和施工法。

　　接合采用無鉛（Pb）技術。與普通的無鉛焊接相比，“導電率和導熱率約提高至原來的7倍”。此前的無鉛焊接的熔解溫度約為 220℃，而新開發(fā)的接合技術其熔解溫度約為原來的4倍、高達480℃。工藝溫度（回流溫度）為350℃。此外，芯片封裝材料也支持高溫。

　　由于封裝溫度比MOSFET接合溫度低50℃，因此，當MOSFET接合溫度為250℃時，封裝溫度為200℃左右。此次是通過把填充物變更為以樹脂材料為基礎的材料等而提高了耐熱性。“將來希望進一步提高耐熱性”。

　　功率模塊上部配備的柵極驅(qū)動電路可在200℃環(huán)境下運行。通過采用LTCC底板、以及把二極管由Si材質(zhì)變更為SiC材質(zhì)等都提高了耐熱性。