三菱電機宣布量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)計劃

    三菱電機公司近期于日本東京舉辦 “功率器件業(yè)務(wù)說明會”，公司專務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體及器件業(yè)務(wù)本部長久間和生公布了公司SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)計劃的有關(guān)內(nèi)容。

    公司計劃從2011年度開始量產(chǎn)將SiC二極管與Si-IGBT組合在一起的混合型逆變器模塊，并在該年度內(nèi)首先配備到三菱電機制造的家電、產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品上。最初將用于面向日本國內(nèi)市場的產(chǎn)品上。三菱電機目前使用該公司的功率器件工廠（福岡縣福岡市）內(nèi)的100mm晶圓產(chǎn)生線來量產(chǎn)SiC二極管，計劃2013~2014年度量產(chǎn)將Si-IGBT換成SiCMOSFET的全SiC型逆變器模塊。

    三菱電機2009年12月在功率器件制作所內(nèi)設(shè)立了處理能力為3000塊/月的100mm晶圓試制生產(chǎn)線。該公司目前正在利用該生產(chǎn)線試制SiC二極管及SiCMOSFET，而且均獲得了超過預(yù)想的高成品率，將來還打算利用150mm（6英寸）直徑以上的晶圓來進(jìn)行生產(chǎn)。該公司表示，雖然量產(chǎn)之初使用事先形成外延膜的外延晶圓，但為了提高器件質(zhì)量的控制性，今后還將考慮采購裸晶圓，在公司內(nèi)部形成外延膜。 

    對于配備SiC器件的逆變器模塊的用途，該公司表示將配備在2011年度本公司生產(chǎn)的產(chǎn)品上，考慮的候選領(lǐng)域有3~4個。具體包括家電、產(chǎn)業(yè)設(shè)備、太陽能發(fā)電系統(tǒng)相關(guān)產(chǎn)品等。另外該公司還將積極推進(jìn)模塊的外銷業(yè)務(wù)。從中長期看，在SiC器件的配備對象中汽車將占有相當(dāng)大的比例。 

    至于在逆變器等功率半導(dǎo)體模塊上的應(yīng)用，該公司表示“現(xiàn)有GaN器件（的溝道）為橫型，因此與縱型的SiC器件相比難以確保電流容量。不過，將來也有可能以實現(xiàn)在功率半導(dǎo)體模塊上應(yīng)用為目標(biāo)展開相關(guān)開發(fā)”�！�