全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動(dòng)器IC，并匹配一個(gè)多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進(jìn)的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關(guān)頻率。
國際整流器公司環(huán)球市場及企業(yè)傳傳信副總裁Graham Robertson
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們?yōu)镈C-DC應(yīng)用推出的這個(gè)氮化鎵功率器件系列預(yù)示著一個(gè)高頻率、高密度、高效電源轉(zhuǎn)換解決方案的全新時(shí)代，更重申了IR在創(chuàng)新電源管理設(shè)計(jì)方面的領(lǐng)先地位。”
潘先生補(bǔ)充道：“iP201x系列高達(dá)5MHz的開關(guān)能力有助于設(shè)計(jì)師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實(shí)現(xiàn)空間緊張的設(shè)計(jì)。這些器件還能夠使要求最高效率的應(yīng)用設(shè)定在較低的開關(guān)頻率下運(yùn)行�！�
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達(dá)30A。這個(gè)器件最高運(yùn)行頻率為3MHz。在5MHz運(yùn)行時(shí)，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達(dá)20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細(xì)小占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
iP2010產(chǎn)品規(guī)格
iP2011產(chǎn)品規(guī)格
IR也會(huì)向合格客戶提供完整的數(shù)據(jù)表、演示板和樣品。
GaNPowIR™簡介
GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺，與最先進(jìn)的硅技術(shù)平臺相比，能夠改善客戶主要特定應(yīng)用的性能指數(shù) (FOM) 高達(dá)10倍，可以顯著提高性能并節(jié)省能源消耗，目標(biāo)市場包括計(jì)算和通信、汽車和家電等的終端應(yīng)用。這款開創(chuàng)先河的氮化鎵功率器件技術(shù)平臺是IR經(jīng)過5年的時(shí)間，基于其專有硅上氮化鎵外延技術(shù)研究開發(fā)的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)�！�
來源：IR
http:leisuda.cn/news/2010-3/2010310172730.html
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