意法半導(dǎo)體（ST）日前推出一款全新功率 MOSFET產(chǎn)品，為設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)更多選擇。新產(chǎn)品 STW77N65M5采用意法半導(dǎo)體的超高能效MDmesh V制造工藝和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247 封裝，是業(yè)內(nèi)通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產(chǎn)品。
這款新器件是STW77N65M5，通態(tài)電阻RDS(ON)為38mΩ，采用TO-247封裝。意法半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年推出采用Max247封裝的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超結(jié)MOSFET技術(shù)發(fā)布會(huì)上，意法半導(dǎo)體公布開(kāi)發(fā)藍(lán)圖時(shí)曾介紹過(guò)這兩款產(chǎn)品。STW77N65M5的最大輸出電流額定69A，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
與常規(guī)MOSFET產(chǎn)品和競(jìng)爭(zhēng)的超結(jié)器件相比，意法半導(dǎo)體的MDmesh V技術(shù)的單位芯片面積通態(tài)電阻最低。更低的損耗給設(shè)計(jì)帶來(lái)很多好處，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度，最終可提高目標(biāo)應(yīng)用的可靠性，如個(gè)人電腦和服務(wù)器的電源、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器、電焊電源和不間斷電源設(shè)備，導(dǎo)通損耗是影響這些應(yīng)用能效的要素之一。
在強(qiáng)調(diào)超低通態(tài)損耗的同時(shí)，這些器件還實(shí)現(xiàn)了低開(kāi)關(guān)損耗，使各種應(yīng)用能夠在不同的工作條件下提高總體能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝，包括 TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAK和IPAK。
意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列產(chǎn)品整合了意法半導(dǎo)體專屬的第五代超結(jié)技術(shù)，和經(jīng)過(guò)應(yīng)用驗(yàn)證的 PowerMESH™ 水平布局設(shè)計(jì)，產(chǎn)品性能優(yōu)于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。無(wú)論采用何種封裝，業(yè)界最低的單位芯片面積RDS(ON)都能提供能效優(yōu)勢(shì)。設(shè)計(jì)人員使用很少數(shù)量的MDmesh V器件即可替代多路并聯(lián)的普通MOSFET網(wǎng)絡(luò)，提高設(shè)計(jì)性能，降低總體尺寸�！薄�
來(lái)源：EDN電子設(shè)計(jì)技術(shù)
http:leisuda.cn/news/2009-12/20091215152842.html
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