國際整流器公司(IR)已經(jīng)開始利用專有的基于氮化鎵(GaN)的功率器件技術(shù)平臺制造原型器件，這種器件經(jīng)過5年的開發(fā)，據(jù)該公司稱將在電源轉(zhuǎn)換上推動重大突破。
IR暗示，與現(xiàn)有一代硅基工藝相比，這種基于硅上氮化鎵的外延工藝技術(shù)提供了重大改進(jìn)，針對關(guān)鍵應(yīng)用的性能系數(shù)提高了10倍。
該公司表示，“它將在諸如計算、通信、汽車以及電器等各個市場領(lǐng)域的終端應(yīng)用中極大地提高性能并削減能耗。”
IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示，“這種基于GaN的技術(shù)平臺和IP組合擴(kuò)大了我們在功率半導(dǎo)體器件上的領(lǐng)導(dǎo)地位，并為電源轉(zhuǎn)換開創(chuàng)了一個新時代，符合我們幫助客戶節(jié)省能源的核心使命�！�
他補(bǔ)充說：“我們完全可以預(yù)料這一新的器件技術(shù)平臺對電源轉(zhuǎn)換市場的潛在影響，至少影響力與大約30年前IR推出的功率HEXFET的一樣大�！�
該公司表示，由這種工藝制成的產(chǎn)品將引發(fā)各個領(lǐng)域應(yīng)用的重大進(jìn)步，包括AC-DC電源轉(zhuǎn)換、DC-DC電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、照明、高密度音頻和汽車系統(tǒng)。
原型采用了高吞吐量、150毫米GaN-on-Si外延平臺以及后續(xù)的器件制造工藝，它們將在11月11-14日于慕尼黑舉行的電子展上向領(lǐng)先的OEM展示和供貨。
國際整流器公司還將在未來兩周內(nèi)舉行的若干主要行業(yè)活動中高調(diào)展示這一平臺，包括：9月15-17日在舊金山舉行的Digital Power Forum 08；9月17-18日在San Jose舉行的Embedded Power Conference；9月22-24日在愛爾蘭科克舉行的Power Supply on A Chip國際工作坊。
編輯：ronvy
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