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賽米控推出用于三電平UPS逆變器的IGBT功率模塊

提高了DC/AC轉換效率,可用于5-80kVA的UPS

2008/7/16 15:48:42   電源在線網(wǎng)
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紐倫堡,200878 - 賽米控為現(xiàn)有SEMITOP® IGBT產(chǎn)品線推出一種新的拓撲結構,用于三電平逆變器。該結構將IGBT技術與較低的開關和傳導損耗相結合與兩電平逆變器相比,損耗減少60%與半橋模塊相比,該SEMITOP®模塊是專為低換流電感率而設計。DC/AC轉換效率得到了提高,可用于功率等級為5-80kVAUPS

    三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案,因為用一個單一模塊取代標準兩電平半橋結構中的兩個模塊。三電平逆變器在結構上由一系列串聯(lián)的 IGBT來實現(xiàn),這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓。通過連接三個這樣的模塊,有可能實現(xiàn)一個完整的具有最高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓撲結構。由于其正弦輸出波形,有可能減少諧波和所需的輸出濾波器。與標準兩電平半橋逆變器相比,三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%。


用于三電平逆變器的SEMITOP®模塊。該結構將IGBT技術與較低的開關和導通損耗相結合,與兩電平逆變器相比,損耗減少60%。

    600V的IGBT反向阻斷電壓下,額定電流為20-150A。在電源應用中,模塊運行時的輸入功率在5-80kVA。用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝:SEMITOP® 3(55x31mm2),用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP® 4(60x55mm2),用于額定電流為75-150A的模塊。

    SEMITOP®是一款絕緣的功率模塊,高度只有12mm。由于采用了無底板技術,可以被迅速安裝到復雜電路中。而且只需一顆螺絲即可將其固定在散熱器上,然后自動焊接到 PCB上。壓接技術和單螺絲安裝確保了低熱阻,而無機械應力設計確保了高功率循環(huán)能力。單螺絲安裝使得安裝快捷。經(jīng)過17種不同的認證和超過10000小時的測試,模塊性能得到了證實。

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編輯:ronvy
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