紐倫堡，2008年7月8日 - 賽米控為現(xiàn)有SEMITOP® IGBT產(chǎn)品線推出一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用于三電平逆變器。該結(jié)構(gòu)將IGBT技術(shù)與較低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗相結(jié)合，與兩電平逆變器相比，損耗減少60%。與半橋模塊相比，該SEMITOP®模塊是專為低換流電感率而設(shè)計。DC/AC轉(zhuǎn)換效率得到了提高，可用于功率等級為5-80kVA的UPS。
三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案，因?yàn)橛靡粋�單一模塊取代標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋結(jié)構(gòu)中的兩個模塊。三電平逆變器在結(jié)構(gòu)上由一系列串聯(lián)的 IGBT來實(shí)現(xiàn)，這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓。通過連接三個這樣的模塊，有可能實(shí)現(xiàn)一個完整的具有最高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。由于其正弦輸出波形，有可能減少諧波和所需的輸出濾波器。與標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋逆變器相比，三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%。
用于三電平逆變器的SEMITOP®模塊。該結(jié)構(gòu)將IGBT技術(shù)與較低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗相結(jié)合，與兩電平逆變器相比，損耗減少60%。
600V的IGBT反向阻斷電壓下，額定電流為20-150A。在電源應(yīng)用中，模塊運(yùn)行時的輸入功率在5-80kVA。用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝：SEMITOP® 3（55x31mm2），用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP® 4（60x55mm2），用于額定電流為75-150A的模塊。
SEMITOP®是一款絕緣的功率模塊，高度只有12mm。由于采用了無底板技術(shù)，可以被迅速安裝到復(fù)雜電路中。而且只需一顆螺絲即可將其固定在散熱器上，然后自動焊接到 PCB上。壓接技術(shù)和單螺絲安裝確保了低熱阻，而無機(jī)械應(yīng)力設(shè)計確保了高功率循環(huán)能力。單螺絲安裝使得安裝快捷。經(jīng)過17種不同的認(rèn)證和超過10000小時的測試，模塊性能得到了證實(shí)。
編輯：ronvy
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