作為半導(dǎo)體分立器件重要的組成部分,IGBT潛在市場巨大。然而,國內(nèi)現(xiàn)在的IGBT等功率元器件幾乎都依賴進(jìn)口,形勢不容樂觀。
日德企業(yè)稱霸全球
日系方面,全球有近70%的IGBT模塊市場被三菱、東芝及富士等日系企業(yè)控制。德系的英飛凌也是全球IGBT龍頭企業(yè)之一,其獨立式 IGBT 功率晶體以24.7%的市場占有率位居第一,IGBT 模塊則以20.5%的市場占有率位居第二。
瑞士系的ABB,長期保持著全球IGBT前十的地位,在高電壓等級領(lǐng)域所向披靡。美系的ON、Fairchild(已被ON收購)、ADI、Vishay等均為全球功率器件的領(lǐng)頭羊。
全球前十大IGBT廠商
據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS于2016年公布的報告,英飛凌(Infineon)以獨占全球24.5%的份額高居榜首,日本三菱電機(jī)(Mitsubishi )則以24.4%的全球份額位列第二,另一日系大廠富士電機(jī)(Fuji Electric)以12.2%的占有率奪得季軍。其他排名依次為:賽米拉(Semikron)、日立(Hitachi)、安森美(ON)、威科(Vincotech)、ABB(瑞士最大的IGBT廠商)、仙童(Fairchild,已被ON收購)、丹佛斯(Danfoss)、嘉興斯達(dá)(Starpower)、東芝(Toshiba)、艾賽斯(IXYS)、CRRC(中國中車)、IR(國際整流器)。
以上排名中,三菱電機(jī)、富士電機(jī)、日立三家為日系公司,丹佛斯為丹麥公司,ABB為瑞士公司。英飛凌、威科及艾賽斯均為德企,威科起源于德國西門子機(jī)電集團(tuán),現(xiàn)由日本三菱電機(jī)控股,艾賽斯的總部則設(shè)在美國。
2014年,美國IR被英飛凌以30億美元收購,2016年,安森美以26億美元收購仙童。這兩起大并購,迅速改寫了IGBT全球市場的格局。
其中,最讓國人感到驕傲的是,嘉興斯達(dá)及中國中車紛紛打入全球TOP15榜單,嘉興斯達(dá)是目前國內(nèi)最大的IGBT模塊生產(chǎn)廠家。
國內(nèi)IGBT廠商與國際品牌尚有差距
中國擁有全球最大的功率半導(dǎo)體市場,但是本土IGBT廠商與英飛凌、三菱和富士電機(jī)等國際大廠相比仍有很大差距。
目前,國內(nèi)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計、制造和模塊封裝技術(shù)目前均處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式,即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案,由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。
近年,中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策推動及市場牽引下得到迅速發(fā)展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈,IGBT國產(chǎn)化的進(jìn)程加快,有望擺脫進(jìn)口依賴。
其中,株洲時代電氣是目前國內(nèi)最大的IGBT生產(chǎn)商,現(xiàn)已建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線,具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力,芯片與模塊電壓范圍實現(xiàn)從650V到6500V的全覆蓋。
比亞迪則與國家電網(wǎng)、上海先進(jìn)半導(dǎo)體牽手,共同打造IGBT國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈。2015年8月,上海先進(jìn)半導(dǎo)體正式進(jìn)入比亞迪新能源汽車用IGBT的供應(yīng)鏈。而西安永電電氣的6500V/600A IGBT功率模塊已成功下線,為全球第四個、國內(nèi)第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。
華潤上華和華虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和溝槽型1700V、2500V和3300V IGBT芯片也已進(jìn)入量產(chǎn)。<
http:leisuda.cn/news/2017-5/20175914131.html

