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Microsemi拓展功率半導(dǎo)體系列--新的 IGBT 和低 VF 超軟恢復(fù)二極管

2008/6/16 17:02:57   電源在線網(wǎng)
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     Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC),一個領(lǐng)先的、高性能模擬和混合信號集成電路和高可靠性半導(dǎo)體器件制造商,推出一個新的諧振模式組合絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)和一個新的低 VF 超軟恢復(fù)二極管系列,以擴展它的大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品系列。

    12個新的專用組合IGBT 是為大功率和高性能應(yīng)用而設(shè)計的器件,其拓撲能用于諧振模式和相移橋的開關(guān)工作,實現(xiàn)零電壓(ZVS)和零電流(ZCS)開關(guān)轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品的輸入電壓為600V和1200V,能進行高速的開關(guān)轉(zhuǎn)換,內(nèi)部具有并聯(lián)的續(xù)流二極管,有助于降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗。

    該系列器件產(chǎn)品典型應(yīng)用在功率等于或小于5000瓦的焊接、感應(yīng)加熱、電信和醫(yī)療設(shè)備中。

    Microsemi的8個新的DL系列低 VF 超軟恢復(fù)二極管是設(shè)計用在具有輸出整流的電路或其它諸如相移橋的諧振模式電路中的。它們的超軟恢復(fù)特性可以使緩沖器最小化,甚至不再需要緩沖器,并使 EMI 最小化;而同時由于它們的正向電壓低,使得導(dǎo)通損耗降低。600V系列的產(chǎn)品包括有單器件、雙器件和共陰極的結(jié)構(gòu)形式。

    “我們部門的著重點是為設(shè)計高電壓、大功率和高性能應(yīng)用的工程師提供一個范圍充分寬闊的半導(dǎo)體解決方案,”在美國 Bend,Oregon 的 Microsemi 功率產(chǎn)品部的總經(jīng)理,Russell Crecraft談到,“基于這個考慮,我們會不斷持續(xù)地進行市場跟蹤和調(diào)查,以尋找機會擴展我們的產(chǎn)品系列,這些新的IGBT和二極管產(chǎn)品可以作為一個示范!

    IGBT組合系列和 DL 二極管系列都能夠立即供貨。有關(guān)Microsem 所有功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的技術(shù)資料可在 Microsem 的網(wǎng)站獲得:http://www.microsemi.com。

   免責(zé)聲明:本文僅代表作者個人觀點,與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實,對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。
編輯:ronvy
本文鏈接:Microsemi拓展功率半導(dǎo)體系列-
http:leisuda.cn/news/2008-6/200861617257.html
文章標簽: Microsemi/IGBT
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