IR授權(quán)英飛凌科技使用DirectFET封裝技術(shù)

    英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX）與國(guó)際整流器公司IR®（NYSE：IRF）宣布，英飛凌獲得國(guó)際整流器公司DirectFET®的授權(quán)許可，獲準(zhǔn)使用享有專利的先進(jìn)功率封裝技術(shù)。

    DirectFET功率封裝技術(shù)適用于計(jì)算機(jī)、筆記本、通信設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的交流-直流以及直流-直流電源轉(zhuǎn)換器件，是業(yè)界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術(shù)，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進(jìn)行頂部冷卻非常有效。較之標(biāo)準(zhǔn)分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升一倍。

    英飛凌將在OptiMOS® 2和OptiMOS 3芯片上采用DirectFET功率封裝技術(shù)，并有望在2008年初開始供應(yīng)采用DirectFET封裝的OptiMOS 2產(chǎn)品樣品。

    國(guó)際整流器公司商用功率產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Tim Phillips表示：“國(guó)際整流器公司的DirectFET封裝工藝采用獨(dú)具特色的雙面冷卻設(shè)計(jì)，是應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通訊產(chǎn)品的電子器件降低功耗、減小尺寸的首選解決方案。我們將不斷開發(fā)尖端的節(jié)能工藝并通過(guò)簽訂許可協(xié)議，擴(kuò)大DirectFET等創(chuàng)新工藝帶來(lái)的節(jié)能影響，同時(shí)進(jìn)一步增大我們?cè)谏逃霉β兽D(zhuǎn)換器這個(gè)最大的功率管理細(xì)分市場(chǎng)的份額�！�

    英飛凌科技高級(jí)副總裁兼功率管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Arunjai Mittal補(bǔ)充說(shuō)：“通過(guò)簽署該技術(shù)許可協(xié)議，英飛凌可繼續(xù)壯大其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。我們將成熟的OptiMOS芯片技術(shù)與適用于不同應(yīng)用的各種封裝工藝結(jié)合起來(lái)，可使電源設(shè)計(jì)者針對(duì)特定產(chǎn)品設(shè)計(jì)出能效和成本效率更高的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片出色的性能配以雙面冷卻的封裝技術(shù)，將進(jìn)一步鞏固英飛凌在功能轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的地位�！�