陳慕平：超高頻感應(yīng)加熱功率組件MOSFET突波抑制探討

    陳慕平主要探討超高頻電磁感應(yīng)加熱供電器MOSFET功率組件，于應(yīng)用時(shí)為達(dá)到高穩(wěn)定度需加考慮的相關(guān)技術(shù)與要點(diǎn)，包括以零電壓切換技術(shù)來達(dá)到突波抑制、防止功率組件震蕩的MOSFET小信號模式分析、RBSOA的量測、MOSFET失效檢視等課題。

    功率組件在電力電子產(chǎn)品中扮演了一個(gè)非常重要的地位，一則其成本約占產(chǎn)品材料成本的30%，一但在保固期燒毀，維修成本甚高，造成血本無歸，且對商譽(yù)打擊甚大。雖然在電路中功率組件只是扮演一個(gè)很簡單的開關(guān)角色，但其開關(guān)速度所造成的瞬時(shí)高電壓變化率及電流變化率，往往造成很強(qiáng)的電磁波干擾及嚴(yán)重的組件損壞，甚至于引起火災(zāi)，所以每個(gè)制造商莫不投入相當(dāng)大精力于功率組件級的設(shè)計(jì)與測試。國際上亦有一些重要研究的發(fā)展，大幅提升電力電子產(chǎn)品的可靠度。

    超高頻感應(yīng)加熱供電器，由于工作頻率高達(dá)1MHz，組件快速切換，造成了很大的電磁干擾與切換損失，更由于快速的電壓變化率(dv/dt)，造成很大的突波及熱量損耗，且由于受限于濾波組件的頻寬，高頻突波無法用緩沖電路(snubber)加以吸收，陳先生特別針對超高頻感應(yīng)加熱供電器功率組件MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)加以探討，藉由小信號模型的探討提出了一些解決對策與實(shí)務(wù)。