國際整流器公司(International Rectifier，IR)日前推出全新組件，拓展其為適用于服務器、筆記本計算機適配器和臺式計算機電源供應的AC-DC同步整流而設計的60V及75V HEXFET MOSFET系列。此外，新產品亦適用于DC-DC和低電壓馬達驅動器。
業(yè)界不斷努力提升功率密度及數(shù)據處理電路的速度，使電源供應對高密度的要求有所增加。嶄新的IRFB/S/SL3206、3306、3207Z及3307Z MOSFET系列通過改善AC-DC SMPS應用的RDS (on)，提供卓越的同步整流表現(xiàn)，相比先前的業(yè)界標準，更同時把RDS (on)調低多達10%，使功率密度得以提升。
IR臺灣分公司總經理朱文義表示：“隨著微型處理的速度變得更快，對功率需求更高，IR全新的同步整流MOSFET讓更具效率、功率密度也更大的AC-DC SMPS能降低傳導損耗�！�
新的75V組件最大RDS (on)由4.1m Ohms至5.8m Ohms，至于60V組件的則由3.0m Ohms 至4.2m Ohms。新產品分別有TO-220、D2Pak及TO-262封裝，符合工業(yè)級和第一級濕度感應度(MSL1)要求。IR的封裝選擇為原有設計提供簡易的性能升級路徑。各種封裝都不含鉛，并為協(xié)助客戶符合最新SMPS方案的有害物質管制規(guī)定(RoHS)指引而設計，卻毋須在表現(xiàn)方面作出妥協(xié)。
業(yè)界不斷努力提升功率密度及數(shù)據處理電路的速度，使電源供應對高密度的要求有所增加。嶄新的IRFB/S/SL3206、3306、3207Z及3307Z MOSFET系列通過改善AC-DC SMPS應用的RDS (on)，提供卓越的同步整流表現(xiàn)，相比先前的業(yè)界標準，更同時把RDS (on)調低多達10%，使功率密度得以提升。
IR臺灣分公司總經理朱文義表示：“隨著微型處理的速度變得更快，對功率需求更高，IR全新的同步整流MOSFET讓更具效率、功率密度也更大的AC-DC SMPS能降低傳導損耗�！�
新的75V組件最大RDS (on)由4.1m Ohms至5.8m Ohms，至于60V組件的則由3.0m Ohms 至4.2m Ohms。新產品分別有TO-220、D2Pak及TO-262封裝，符合工業(yè)級和第一級濕度感應度(MSL1)要求。IR的封裝選擇為原有設計提供簡易的性能升級路徑。各種封裝都不含鉛，并為協(xié)助客戶符合最新SMPS方案的有害物質管制規(guī)定(RoHS)指引而設計，卻毋須在表現(xiàn)方面作出妥協(xié)。
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本文鏈接：IR面向電腦電源適配器推出HEXFET
http:leisuda.cn/news/2006-7/2006720113825.html
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