意法半導(dǎo)體(ST)日前推出90nm硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)系統(tǒng)芯片(SoC)，該產(chǎn)品在硬盤(pán)控制器、讀通道、串行ATA接口(SATA)和內(nèi)存中集成ST的IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))，據(jù)稱(chēng)是市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品中第一個(gè)采用90nm制造技術(shù)的產(chǎn)品。功能芯片目前正在接受評(píng)估測(cè)試，該產(chǎn)品在法國(guó)Crolles的Crolles2聯(lián)盟300mm晶圓制造廠(chǎng)生產(chǎn)。
T90讀通道IP是由ST開(kāi)發(fā)的，支持300Mbit/s到1.7Gbit/s的數(shù)據(jù)速率。據(jù)介紹，讀通道對(duì)磁頭前置放大器與SATA接口和內(nèi)存之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)進(jìn)行編解碼，這種操作需要先進(jìn)的混合信號(hào)技術(shù)。這個(gè)90nm設(shè)計(jì)基于ST的Tintoretto讀寫(xiě)通道架構(gòu)，該架構(gòu)的特點(diǎn)是在所有的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器模式下，數(shù)據(jù)傳輸速率高，功耗低。T90支持10位速率代碼、逆序編碼、媒體噪聲優(yōu)化數(shù)據(jù)檢測(cè)、先進(jìn)缺陷掃描、水平記錄、縱向記錄、自伺服寫(xiě)技術(shù)。ST的90nm固件兼容的讀通道開(kāi)發(fā)計(jì)劃將在性能方面滿(mǎn)足消費(fèi)產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)專(zhuān)用磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的需求，今年年底將推出部分產(chǎn)品。
嵌入式硬盤(pán)控制器(HDC)用于管理數(shù)據(jù)流，在跟蹤和搜索操作時(shí)控制磁頭定位。新產(chǎn)品的HDC基于經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)證明的ARM技術(shù)，內(nèi)置32位高性能450MHz CPU核心。
ST去年宣布90nm MiPHY(多接口PHY)物理層研制成功。這個(gè)宏單元在新產(chǎn)品上提供高速SATA接口，同時(shí)還支持采用串行連接的SCSI(SAS)、光通道和PCI Express串口標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用，允許針對(duì)不同市場(chǎng)的設(shè)計(jì)快速通過(guò)驗(yàn)證，通過(guò)優(yōu)化工程資源降低制造成本。SATA接口數(shù)據(jù)傳輸速率3Gbit/s，抖動(dòng)性能十分優(yōu)異，低于2ps(隨機(jī))和50ps(總體)。
“硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)芯片的所有功能IP都是內(nèi)部開(kāi)發(fā)的，這種做法使ST能夠滿(mǎn)足高性能驅(qū)動(dòng)器制造商的特殊需求�！睌�(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理Roberto Fantechi表示，“現(xiàn)在，隨著第一個(gè)90nm系統(tǒng)芯片上市，我們可以在同一芯片空間內(nèi)提高產(chǎn)品的功能性，這樣就能滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更高邏輯門(mén)密度、更低的功耗和成本的需求。”
T90讀通道IP是由ST開(kāi)發(fā)的，支持300Mbit/s到1.7Gbit/s的數(shù)據(jù)速率。據(jù)介紹，讀通道對(duì)磁頭前置放大器與SATA接口和內(nèi)存之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)進(jìn)行編解碼，這種操作需要先進(jìn)的混合信號(hào)技術(shù)。這個(gè)90nm設(shè)計(jì)基于ST的Tintoretto讀寫(xiě)通道架構(gòu)，該架構(gòu)的特點(diǎn)是在所有的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器模式下，數(shù)據(jù)傳輸速率高，功耗低。T90支持10位速率代碼、逆序編碼、媒體噪聲優(yōu)化數(shù)據(jù)檢測(cè)、先進(jìn)缺陷掃描、水平記錄、縱向記錄、自伺服寫(xiě)技術(shù)。ST的90nm固件兼容的讀通道開(kāi)發(fā)計(jì)劃將在性能方面滿(mǎn)足消費(fèi)產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)專(zhuān)用磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的需求，今年年底將推出部分產(chǎn)品。
嵌入式硬盤(pán)控制器(HDC)用于管理數(shù)據(jù)流，在跟蹤和搜索操作時(shí)控制磁頭定位。新產(chǎn)品的HDC基于經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)證明的ARM技術(shù)，內(nèi)置32位高性能450MHz CPU核心。
ST去年宣布90nm MiPHY(多接口PHY)物理層研制成功。這個(gè)宏單元在新產(chǎn)品上提供高速SATA接口，同時(shí)還支持采用串行連接的SCSI(SAS)、光通道和PCI Express串口標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用，允許針對(duì)不同市場(chǎng)的設(shè)計(jì)快速通過(guò)驗(yàn)證，通過(guò)優(yōu)化工程資源降低制造成本。SATA接口數(shù)據(jù)傳輸速率3Gbit/s，抖動(dòng)性能十分優(yōu)異，低于2ps(隨機(jī))和50ps(總體)。
“硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)芯片的所有功能IP都是內(nèi)部開(kāi)發(fā)的，這種做法使ST能夠滿(mǎn)足高性能驅(qū)動(dòng)器制造商的特殊需求�！睌�(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理Roberto Fantechi表示，“現(xiàn)在，隨著第一個(gè)90nm系統(tǒng)芯片上市，我們可以在同一芯片空間內(nèi)提高產(chǎn)品的功能性，這樣就能滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更高邏輯門(mén)密度、更低的功耗和成本的需求。”
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http:leisuda.cn/news/2006-6/20066192420.html
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