飛兆半導(dǎo)體公司推出11種新型器件，擴(kuò)充了其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計(jì)，其應(yīng)用包括動(dòng)力轉(zhuǎn)向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī)，以及電機(jī)和螺線管驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)等。
飛兆半導(dǎo)體的30/40V MOSFET是要求高電流密度和低功耗系統(tǒng)的理想選擇，并根據(jù)汽車市場的最新發(fā)展趨勢，從機(jī)械方式進(jìn)展為機(jī)電方式。飛兆公半導(dǎo)體的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節(jié)省線路板空間，因?yàn)橐粋�(gè)飛兆半導(dǎo)體的低RDS(on) MOSFET可替代兩個(gè)在這些設(shè)計(jì)中傳統(tǒng)使用較高RDS(on)的MOSFET。而且，這些MOSFET能滿足UIS要求并達(dá)到嚴(yán)格的AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)，可在嚴(yán)酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅(jiān)固性”。
新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的導(dǎo)通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高壓器件的二分之一，效率更高，熱量的產(chǎn)生更少。
這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
供貨: 現(xiàn)貨
交貨期: 收到訂單后4至12周內(nèi)
飛兆半導(dǎo)體的30/40V MOSFET是要求高電流密度和低功耗系統(tǒng)的理想選擇，并根據(jù)汽車市場的最新發(fā)展趨勢，從機(jī)械方式進(jìn)展為機(jī)電方式。飛兆公半導(dǎo)體的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節(jié)省線路板空間，因?yàn)橐粋�(gè)飛兆半導(dǎo)體的低RDS(on) MOSFET可替代兩個(gè)在這些設(shè)計(jì)中傳統(tǒng)使用較高RDS(on)的MOSFET。而且，這些MOSFET能滿足UIS要求并達(dá)到嚴(yán)格的AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)，可在嚴(yán)酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅(jiān)固性”。
新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的導(dǎo)通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高壓器件的二分之一，效率更高，熱量的產(chǎn)生更少。
這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
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本文鏈接：飛兆半導(dǎo)體推出低壓30/40V MOS
http:leisuda.cn/news/2006-10/2006102393736.html
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文章標(biāo)簽： 飛兆半導(dǎo)體/MOSFET
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