陳慕平：超高頻感應加熱功率組件MOSFET突波抑制探討

    陳慕平主要探討超高頻電磁感應加熱供電器MOSFET功率組件，于應用時為達到高穩(wěn)定度需加考慮的相關技術與要點，包括以零電壓切換技術來達到突波抑制、防止功率組件震蕩的MOSFET小信號模式分析、RBSOA的量測、MOSFET失效檢視等課題。

    功率組件在電力電子產(chǎn)品中扮演了一個非常重要的地位，一則其成本約占產(chǎn)品材料成本的30%，一但在保固期燒毀，維修成本甚高，造成血本無歸，且對商譽打擊甚大。雖然在電路中功率組件只是扮演一個很簡單的開關角色，但其開關速度所造成的瞬時高電壓變化率及電流變化率，往往造成很強的電磁波干擾及嚴重的組件損壞，甚至于引起火災，所以每個制造商莫不投入相當大精力于功率組件級的設計與測試。國際上亦有一些重要研究的發(fā)展，大幅提升電力電子產(chǎn)品的可靠度。

    超高頻感應加熱供電器，由于工作頻率高達1MHz，組件快速切換，造成了很大的電磁干擾與切換損失，更由于快速的電壓變化率(dv/dt)，造成很大的突波及熱量損耗，且由于受限于濾波組件的頻寬，高頻突波無法用緩沖電路(snubber)加以吸收，陳先生特別針對超高頻感應加熱供電器功率組件MOSFET驅(qū)動設計加以探討，藉由小信號模型的探討提出了一些解決對策與實務。