東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
中國上海，2021年11月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。
TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設(shè)計小型化。
TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1]，便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性，并支持電路板背面安裝，或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計。
這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易設(shè)計和保持溫度裕度。
此外，東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H（LF4）與TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封裝的引線成型選項。
應(yīng)用：
工業(yè)設(shè)備
-工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動器、光伏逆變器、UPS等。
特性：
-高峰值輸出電流額定值（ Ta＝-40℃至125℃）
IOP＝±2.5A（TLP5702H）
IOP＝±5.0A（TLP5705H）
-薄型SO6L封裝
-高工作溫度額定值：Topr（最大值）＝125℃
主要規(guī)格：
注：
[1]封裝高度：4.25毫米（最大值）
[2]現(xiàn)有產(chǎn)品：采用SDIP6封裝的TLP700H