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| 新聞ID號： |
21561 |
無標題圖片 |
| 資訊類型： |
展會動態(tài) |
| 所屬類別： |
電磁兼容； 電池/蓄電池； 其他電源配套 |
| 關(guān) 鍵 字： |
電力電子行業(yè)/鋁碳化硅/電流IGBT基板 |
| 內(nèi)容描述： |
作為電力電子行業(yè)在中國的一大盛會，PCIM 2010中國上海展將為業(yè)界及學(xué)術(shù)專家奉上行業(yè)大餐，新產(chǎn)品也將在展會期間相繼亮相，那就讓我們先一堵為快吧。 |
| 發(fā)布時間： |
2009/12/31 12:00:52 |
| 更新時間： |
2010/1/4 14:54:49 |
| 審核情況： |
已審核開通[2009/12/31 12:00:52] |
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| 內(nèi) 容： |
作為電力電子行業(yè)在中國的一大盛會，PCIM 2010中國上海展將為業(yè)界及學(xué)術(shù)專家奉上行業(yè)大餐，新產(chǎn)品也將在展會期間相繼亮相，那就讓我們先一堵為快吧。
作為新起之秀，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)合作開發(fā)了鋁瓷（AlSiC – 鋁基碳化硅顆粒復(fù)合材料）而西安明科公司（Xi’an Miqam Microelectronics Materials Co., Ltd）是目前中國區(qū)唯一具備獨立知識產(chǎn)權(quán)并可產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)這種封裝材料的廠家。
鋁碳化硅（AlSiC）金屬基熱管理復(fù)合材料，俗稱鋁瓷，是功率電子器件專用封裝材料，通過將鋁合金滲入高體積分數(shù)的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制型，復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問題。
現(xiàn)階段鋁碳化硅（AlSiC）廣泛應(yīng)用于高功率大電流IGBT基板、散熱板（可水冷）、微波電路基座（軍用、航空、航天、民用通信基站）、電力電子熱沉、基板、倒裝芯片蓋板、光電轉(zhuǎn)換器外殼、LED導(dǎo)熱柱等方面。
2010年P(guān)CIM展會期間將亮相的該鋁瓷材料產(chǎn)品，具有其以下幾個特點：
→ 高導(dǎo)熱率（180-200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5-9.5X10-6/K），從而使電子器件的可靠性和穩(wěn)定性得到大幅提升。
→ 因其是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的。
→ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。
→ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，而且AlSiC的抗震性遠比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）工作環(huán)境下的首選材料。目前高電流IGBT基板的首選材料就是鋁瓷。
→ AlSiC可采用凈成形手段鑄造成形，適合大批量加工的工業(yè)化方式生產(chǎn)，成本低于鎢銅、鉬銅的同時，在大尺寸件與形狀件的生產(chǎn)方面，也遠優(yōu)于鎢銅、鉬銅。
→ AlSiC可以鍍鎳、鎳磷、鎳硼、金等，表面也可以進行陽極氧化處理。
→ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
→ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
→ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的�！� |
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