東芝日前開發(fā)成功了通過動態(tài)控制SoC(系統(tǒng)級芯片)的工作電壓與工作頻率,降低耗電量的耗電控制技術(shù)(發(fā)布資料(日文))。目的是降低SoC工作時(shí)的耗電量,該公司稱之為“部分fV控制技術(shù)”。據(jù)介紹,目前已經(jīng)采用90nm工藝CMOS技術(shù),試制出采用該技術(shù)的LSI,并且已經(jīng)完成了基本功能測試。今后,將逐漸應(yīng)用于自行開發(fā)的SoC,以及客戶訂購的ASIC中。預(yù)計(jì)采用該技術(shù)的產(chǎn)品將于2005年內(nèi)亮相。
用來控制SoC工作電壓與工作頻率的耗電控制技術(shù),索尼與美國全美達(dá)等多家公司已經(jīng)投入實(shí)際應(yīng)用。不過,這些現(xiàn)有技術(shù)對工作電壓與工作頻率實(shí)施控制的單位是整個(gè)LSI。而東芝此次開發(fā)的技術(shù),其特點(diǎn)是能夠以集成于LSI中的特定電路塊為單位,單個(gè)設(shè)置工作電路與工作頻率。因此,假如在某個(gè)電路塊中采用了這次的耗電控制技術(shù),那么通過將其作為IP內(nèi)核進(jìn)行移植,就能很容易地重新應(yīng)用于其他LSI。東芝準(zhǔn)備利用這一特點(diǎn),縮短SoC的設(shè)計(jì)周期。
東芝采用“部分fV控制技術(shù)”試制的芯片是集成處理器內(nèi)核“MeP(媒體嵌入處理器)”的便攜終端用SoC。據(jù)悉,對某個(gè)電路塊應(yīng)用此技術(shù)后,業(yè)已證實(shí)將該電路塊的耗電量降低了40%。
作為面向SoC的耗電控制技術(shù),東芝過去就已經(jīng)實(shí)際使用了“Selective-MT技術(shù)”。此技術(shù)的目的是降低SoC待機(jī)時(shí)的耗電量。該公司今后準(zhǔn)備結(jié)合采用“部分fV控制技術(shù)”與“Selective-MT技術(shù)”,構(gòu)筑產(chǎn)品設(shè)計(jì)環(huán)境——“東芝低耗電平臺”。東芝將在“2005年電子設(shè)計(jì)與解決方案展(EDSFair 2005,1月27日在日本橫濱Pacifico會展中心開幕)”上展出該平臺。
用來控制SoC工作電壓與工作頻率的耗電控制技術(shù),索尼與美國全美達(dá)等多家公司已經(jīng)投入實(shí)際應(yīng)用。不過,這些現(xiàn)有技術(shù)對工作電壓與工作頻率實(shí)施控制的單位是整個(gè)LSI。而東芝此次開發(fā)的技術(shù),其特點(diǎn)是能夠以集成于LSI中的特定電路塊為單位,單個(gè)設(shè)置工作電路與工作頻率。因此,假如在某個(gè)電路塊中采用了這次的耗電控制技術(shù),那么通過將其作為IP內(nèi)核進(jìn)行移植,就能很容易地重新應(yīng)用于其他LSI。東芝準(zhǔn)備利用這一特點(diǎn),縮短SoC的設(shè)計(jì)周期。
東芝采用“部分fV控制技術(shù)”試制的芯片是集成處理器內(nèi)核“MeP(媒體嵌入處理器)”的便攜終端用SoC。據(jù)悉,對某個(gè)電路塊應(yīng)用此技術(shù)后,業(yè)已證實(shí)將該電路塊的耗電量降低了40%。
作為面向SoC的耗電控制技術(shù),東芝過去就已經(jīng)實(shí)際使用了“Selective-MT技術(shù)”。此技術(shù)的目的是降低SoC待機(jī)時(shí)的耗電量。該公司今后準(zhǔn)備結(jié)合采用“部分fV控制技術(shù)”與“Selective-MT技術(shù)”,構(gòu)筑產(chǎn)品設(shè)計(jì)環(huán)境——“東芝低耗電平臺”。東芝將在“2005年電子設(shè)計(jì)與解決方案展(EDSFair 2005,1月27日在日本橫濱Pacifico會展中心開幕)”上展出該平臺。
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本文鏈接:東芝SoC低耗電技術(shù) 以電路塊為單位動
http:leisuda.cn/news/2005-1/200513110134.html
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