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Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

2013/7/2 15:48:14   電源在線網(wǎng)
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    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過(guò)MIL-PRF-55342認(rèn)證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N),該電阻具有公認(rèn)的高可靠性,失效率達(dá)到每1000小時(shí)0.01%的“R”級(jí)。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術(shù)制造,為軍工和航天應(yīng)用提供了更好的規(guī)格指標(biāo),包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

    日前推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應(yīng)用的控制系統(tǒng),在這些場(chǎng)合下,工作過(guò)程中的潮氣或長(zhǎng)時(shí)間存放都是需要考慮的問(wèn)題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過(guò)MIL-PRF-55342規(guī)定限值的50倍。

    E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲,以及低至0.5ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層,覆蓋一層電鍍鎳柵層,使器件可在+150℃溫度下工作,而粘附層產(chǎn)生的電阻還不到0.010Ω。

    器件有M55342/01~M55342/12共12種外形尺寸,功率等級(jí)為50mW~1000mW,工作電壓為30V~200V,根據(jù)公差,阻值范圍49.9Ω~3.3MΩ。<

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