三菱電機將亮相PCIM亞洲展 合肥工廠已正式投產(chǎn)

    三菱電機將于6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012（展位號：301）中盛裝亮相，向參觀者展示其新MPD系列IGBT模塊、汽車用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊、工業(yè)和變頻家電用的DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊）等，旨在向中國市場提供更低功耗、更低成本和更高穩(wěn)定性的產(chǎn)品和技術(shù)。

    新MPD系列IGBT模塊

    新MPD系列IGBT模塊外型緊湊，采用新型無焊接AI基板，提供更高的溫度循環(huán)能力。針對大電流專用的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用專門的封裝，內(nèi)部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術(shù)制成的第6代IGBT模塊，享有更寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性，并擁有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機驅(qū)動、分散式電力發(fā)電及大功率UPS等場合。

    該系列模塊分1200V及1700V兩種額定電壓，其中CM2500DY-24S的額定電流高達(dá)2500A。其硅片最高結(jié)溫可達(dá)175℃，硅片運行溫度最高可達(dá)150℃。為了提高散熱效率，新MPD專為水冷散熱系統(tǒng)設(shè)計，從而提高產(chǎn)品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接， 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接。

    汽車用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM

    J系列EV-IPM采用第5代LPT-CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器，雜散電感低。目前該產(chǎn)品的電流電壓等級有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

J系列EV-IPM

    J系列EVT-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內(nèi)部構(gòu)造采用DLB構(gòu)造，成功將主端子延長，使之直接與功率半導(dǎo)體硅片焊接，提高了模塊的可靠性。此外，模塊采用2合1壓注膜封裝技術(shù)，使得模塊內(nèi)的配線電阻和電感得到減小，從而降低了模塊的損耗。目前該系列產(chǎn)品的電流電壓等級有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。

    合肥功率半導(dǎo)體工廠已正式投產(chǎn)

    三菱電機日前還宣布，公司與美國捷敏電子有限公司合作在合肥興建的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠已經(jīng)于今年一月投產(chǎn)，此舉可將在中國生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體數(shù)量逐年提升，至2015年時增加一倍，以應(yīng)對越來越大的功率半導(dǎo)體市場。

    目前，三菱電機的功率半導(dǎo)體部門共經(jīng)營六家主要制造工廠，其中三個在日本，另外三個分別在中國、美國及匈牙利。目前，在中國生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體已占總產(chǎn)量的20%，三菱電機希望在2015年時，能上升至30%。

    三菱電機選擇在中國合肥設(shè)立生產(chǎn)工廠，不單表示三菱電機看好中國市場的發(fā)展前景，也顯示三菱電機對中國市場投入的決心。<