Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

超級結(jié)器件降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高通信、工業(yè)和企業(yè)級應(yīng)用能效

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60%。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo)(FOM)。

　　Vishay提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新電子系統(tǒng)。隨著SiHH068N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，我們可在設(shè)計電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期滿足提高能效和功率密度的要求—包括功率因數(shù)校正和硬切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)。

　　SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.059Ω，超低柵極電荷下降到53 nC。器件的FOM為3.1Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低12%。SiHH068N60E有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為94 pf和591 pF，可改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而達到節(jié)能效果。

　　日前發(fā)布的器件采用PowerPAK®8x8封裝，符合RoHS標(biāo)準，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。

　　SiHH068N60E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。