東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

　　中國(guó)上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計(jì)劃于今天開始。

　　MOSFET產(chǎn)品圖

　　新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。

　　應(yīng)用：

　　・汽車設(shè)備
　　電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān)）

　　特性：

　　・東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
　　・通過AEC-Q101認(rèn)證
　　・低導(dǎo)通電阻：
　　RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）VGS=10V（XPH4R10ANB）
　　RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）VGS=10V（XPH6R30ANB）
　　・采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝

　　主要規(guī)格：

　　注釋：

　　[1]截至2019年12月25日

　　[2]在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。