日前，全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等。
新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET， 提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術(shù) (N和P) 來實現(xiàn)超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內(nèi)，配備了兩個典型導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開關(guān)和直流應(yīng)用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產(chǎn)品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅(qū)動能力達到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導(dǎo)通電阻�！�
這個雙PQFN系列包括專為高側(cè)負荷開關(guān)優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡便的驅(qū)動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)相兼容，并且擁有符合行業(yè)標準的占位空間，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大Vgs |
在10V下的 典型/最大導(dǎo)通電阻 (mΩ) |
在4.5V下的 典型/最大導(dǎo)通電阻 (mΩ) |
在2.5V下的 典型/最大導(dǎo)通電阻 (mΩ) |
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IRFHS9351 |
PQFN 2x2 |
-30V |
+/- 20 V |
135 / 170 |
235 / 290 |
- |
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IRLHS6276 |
PQFN 2x2 |
+20V |
+/- 12 V |
- |
33 / 45 |
46 / 62 |
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IRLHS6376 |
PQFN 2x2 |
+30V |
+/- 12 V |
- |
48 / 63 |
61 / 82 |
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IRFHM8363 |
PQFN 3.3x3.3 |
+30V |
+/- 20 V |
12/15 |
16 / 21 |
- |
http:leisuda.cn/news/2011-7/2011719162912.html
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