安森美推出6款通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET

    日前，安森美半導體推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。

    這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界標準DPAK封裝小50%或以上，但提供相同或更低的導通阻抗。相對采用歷史較長的DPAK封裝的元件而言，這些器件節(jié)省珍貴的電路板空間，非常適合于燃油噴射系統(tǒng)及電機控制驅(qū)動器等汽車應用中的負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換及電源管理。

    安森美半導體新的功率MOSFET產(chǎn)品組合中涵蓋30 V、40 V和60 V及N溝道和P溝道器件，為客戶的新產(chǎn)品設計提供了寬范圍選擇。極低的導通阻抗[RDS(on)]將導電及功率損耗降到最低，同時大電流能力(介于6.3 A到65 A之間，因器件而異)確保提供強固的負載性能。這些器件通過AEC-Q101認證，彰顯它們適合汽車應用。 

    NVMFS4841N (30 V、65 A單N溝道)器件采用SO-8FL封裝，NVTFS4823N (30 V、30 A單N溝道)、NVTFS5116PL (60 V、14 A單P溝道)、NVTFS5811NL (40 V、40 A單N溝道)、NVTFS5826NL (60 V、20 A單N溝道)及NVTFS5820NL (60 V、29 A單N溝道N)采用WDFN-8封裝。

    安森美半導體功率MOSFET業(yè)務部副總裁Paul Leonard說：“減小模塊總體尺寸及提供可靠和強固的性能，是汽車電子應用的兩大要求。我們新的功率MOSFET器件滿足這些要求，使汽車客戶節(jié)省珍貴的印制電路板(PCB)占位面積，或在更小的總體設計中集成更多的功能。”■