IR推出適用于汽車(chē)的DirectFET®2功率MOSFET

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天推出適用于汽車(chē)的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車(chē)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。

    IR 的這些首款汽車(chē)用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。

    IR 亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 結(jié)合了經(jīng)過(guò)實(shí)踐的 DirectFET 封裝技術(shù)帶來(lái)的卓越可靠性和性能，以及 IR 的最新溝道硅工藝。新款 DirectFET2 器件在應(yīng)用于下一代車(chē)輛平臺(tái)時(shí)可以達(dá)到最佳表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 、柵極電荷 (Qg) 或邏輯電平操作，從而極大提升性能和效率，并縮減了系統(tǒng)尺寸和元件數(shù)量�！�

    采用新款大罐式封裝的 AUIRF7739L2 具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在給定 PCB 區(qū)域 40V 電壓時(shí)的導(dǎo)通電阻典型值僅為 0.7mΩ 。此外，與 D2PAK 相比，大罐式封裝的占位面積可以減少60%，厚度可以降低85%。這款器件可提供卓越的功率密度和效率，非常適合高負(fù)載電機(jī)控制應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 和微型混合動(dòng)力車(chē)的電池開(kāi)關(guān)和集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) ，以及底盤(pán)、傳動(dòng)系統(tǒng)和動(dòng)力系統(tǒng)等。

    AUIRF7665S2 小罐器件可提供極低的柵極電荷，表現(xiàn)出非常小的寄生效應(yīng)，以及快速、高效的開(kāi)關(guān)性能。DirectFET2 MOSFET 是汽車(chē)開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇，包括D類(lèi)音頻放大器的輸出級(jí)電路，以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和燃油噴射系統(tǒng)。

    AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，是在 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS)。

    產(chǎn)品基本規(guī)格