Vishay推出突破性P溝道功率MOSFET-SiB457EDK

將業(yè)界最低導通電阻減少近50%

該器件在4.5V和2.5V電壓下的導通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出一款業(yè)界最低導通電阻的新型20V P溝道功率MOSFET --- SiB457EDK，這是以往1.6mm×1.6mm占位面積的P溝道器件所不曾實現(xiàn)的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET® Gen III P溝道技術，該技術利用自對準工藝制程，在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元。該項前沿技術可實現(xiàn)極其精細、亞微米線寬工藝，將目前業(yè)界P溝道MOSFET的最低導通電阻減小了將近一半。
 
    隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積中實現(xiàn)低至1.9mΩ的業(yè)界最低的導通電阻。SiB457EDK采用PowerPAK ®SC-75封裝，是該系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面積中實現(xiàn)了業(yè)界最低的導通電阻。其RDS(on)值從4.5V的35mΩ到1.5V的130mΩ。與具有相同額定電壓的最接近的P溝道器件相比，這些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V電壓下的導通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導通電阻則降低了46%。
 
    TrenchFET Gen III P溝道MOSFET有助于在各種應用中節(jié)約能源，如筆記本電腦和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器和負載開關，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設備的充電電路中的負載開關。每平方英寸裝入十億個單元的工藝實現(xiàn)了低導通電阻，這項重大技術突破意味著更低的傳導損耗、節(jié)省功耗和延長兩次充電之間的電池壽命。下表總結了目前發(fā)布的TrenchFET Gen III P溝道器件的主要規(guī)格。   

    SiB457EDK規(guī)定了四個柵極至源極電壓條件下的導通電阻額定值，包括使設計以較小的輸入電壓實現(xiàn)較高的安全裕量的1.5V額定值。同時，其緊湊的PowerPAK SC-75封裝可減少電源電路所需的空間，為其他產品功能或實現(xiàn)更小的最終產品開辟了空間。SiB457EDK還采用了2500V典型ESD保護，可減少現(xiàn)場故障，同時具有在VGS = 8V條件下僅為5μA的低漏電流。
 
    P溝道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列為無鹵素產品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg測試要求。關于該系列的進一步資料可瀏覽http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
 
    新型SiB457EDK TrenchFET功率MOSFET已提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂單的交貨時間為10至12周。
 
VISHAY SILICONIX簡介
    Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
    創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
    Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。■