Q1：請問與國際上其他品牌的類似產(chǎn)品相比，Infineon的600V C6在各方面有何區(qū)別？
答：首先，在單位封裝方面，以T220封裝為例，其他品牌類似產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻大約是380毫歐，比我們高好幾倍，而我們C6現(xiàn)在做到最好的是99毫歐。如果他們?yōu)閷崿F(xiàn)同樣的導(dǎo)通電阻需要應(yīng)用TO-247封裝，成本將會貴許多。眾所周知，在半導(dǎo)體的成本中，封裝是很關(guān)鍵的問題。我們在TO-247封裝方面能做到最好的45毫歐，而其他品牌不能做到這么低，這也是我們的區(qū)別之一。
其次，在電源工作頻率方面，我們的MOSFET開關(guān)頻率可以提高到250kHz~400kHz。如果用其他品牌的超級結(jié)結(jié)構(gòu)的MOS，會產(chǎn)生大的損耗，很難去實現(xiàn)。但如果采用CoolMOS，可以實現(xiàn)頻率超過250kHz。當然開關(guān)頻率越高，損耗越高，例如超過450k以上，就要采用零電流，零電壓等軟開關(guān)架構(gòu)，我們就可以配合二極管去做。
Q2：這個開關(guān)是否不再需要采用諧振的電源架構(gòu)？
答：準諧振要求不能太高，如果是二三百瓦就不推薦了。當輸出功率越高，電流就越大，導(dǎo)通損耗則越高。如果沒有一個低導(dǎo)通電阻的MOS，導(dǎo)通損耗會很大。而CoolMOS的導(dǎo)通電阻很低，可以降低導(dǎo)通損耗。另外CoolMOS里面的輸出電容很低，該參數(shù)是影響開關(guān)損耗最大的因素。如果輸出電容量低，累計損耗就低。采用諧振的設(shè)計，也需要通過對輸出電容進行通電放電，也會產(chǎn)生一定的損耗。因此，如果是用傳統(tǒng)的MOS進行設(shè)計，損耗會很高。
Q3：輸出電容對電路本身有影響，那輸出電容降低之后是否對線路性能也有影響？
答：將輸出電容降低不會影響電路的性能。但開關(guān)頻率提高，輸出電容會和PCB寄生的電感等參數(shù)會產(chǎn)生諧振，會產(chǎn)生些尖峰。工程師應(yīng)該關(guān)注這一點，不管提高還是降低，都需要知道寄生參數(shù)的影響。所以，在做PCB布板的時候，需要了解如何將其優(yōu)化。如果沒有這些配合，不可能把開關(guān)頻率提高。僅僅改變參數(shù)，是不會對電路產(chǎn)生影響的。
Q4：C6的開關(guān)頻率是多少？
答：開關(guān)頻率由用戶自行設(shè)定。MOS的開關(guān)頻率是從PWM來確定的，100k、150k或200k都可以。
Q5：如果頻率到了100k以上，那總體損耗是否由開關(guān)損耗來決定？是否可以說總體損耗還是由最大的開關(guān)頻率來決定？導(dǎo)通損耗存在多少？
答：工程師選多大的開關(guān)頻率去做設(shè)計主要基于以下幾點：成本、效率和大小。只要將開關(guān)頻率提高，諸如電容等被動器件的體積就可以變小。但導(dǎo)通損耗一定會存在，永遠是越低越好。對于功率半導(dǎo)體來說，導(dǎo)通電阻和寄生電容是成反比的，一個高，另一個勢必就低，但我們可以將兩者達到一個優(yōu)化點。
英飛凌的方向是在降低導(dǎo)通損耗的同時又降低開關(guān)損耗.我們提倡的FOM參數(shù)也就是體現(xiàn)我們的方向。
導(dǎo)通電阻越小的開關(guān)管,由越多的MOS胞元并成,寄生出來的電容也就越多,也就會增加越多的開關(guān)損耗.這就要工程師在開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗間找個平衡點.
Q6：以開關(guān)損耗為主時，該器件的總體損耗會高出很多嗎？
答：由于寄生參數(shù)變低，就會降低其開關(guān)損耗。每一次充電放電的能量損耗和每一個開關(guān)的損耗都會降低。但如果你將開關(guān)頻率繼續(xù)提高，還是要考慮很多方法去控制其損耗。
Q7：C6比C3價格更便宜，如何降低C6的產(chǎn)品成本？
答：C6的推出將會取代我們最流行的C3。為了與競爭對手相抗衡，我們就應(yīng)該降低產(chǎn)品成本，所以我們需要推出新的系列。為了避免被淘汰，我們也必須要朝著降低成本的方向進行，C3已經(jīng)沒有降價的空間，所以我們才推出了C6。
成本主要來自晶元的大小, CoolMOS C6采用的是新科技, 讓里面的晶體變的更小, 并采取新的封裝技術(shù)降低成本。
Q8：C6與C3有很大的關(guān)聯(lián)性，那C6可以取代C3嗎？是否有C4和C5兩種產(chǎn)品？
答：可以。沒有C4，因為4在中文里有不好的寓意。至于C5，我們已經(jīng)將其命名為CP。CP的開關(guān)損耗是最低的，比C6還低，所以C6不能代替CP。CP更適合在更高效的電源產(chǎn)品中。
Q10：CFD是900V還是600V？除了用在服務(wù)器等設(shè)備，C6和CP還應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
答：是600V。它是帶體內(nèi)快恢復(fù)二極管的,適合于例如橋式電路等零電壓或零電流軟開關(guān)場合.
C6和CP還可應(yīng)用在太陽能、電腦電源、LCD和綠色照明等各個方面。對于超級結(jié)結(jié)構(gòu)的MOS在3-5W的手機充電器領(lǐng)域的價格不占優(yōu),CoolMOS亦如此。
Q12：C6主要應(yīng)用在哪些方面？高端還是低端產(chǎn)品？它能應(yīng)用在Eeepc上面嗎？
答：既然C6將要代替C3，而C3已經(jīng)幾乎運用在所有的產(chǎn)品上，所以C6沒有任何傾向性，它幾乎可以應(yīng)用在所有的電源上面，包括Eeepc。
Q13：在多少瓦的時候，C6可以達到最高的性能成本比？
答：沒有這樣一個確切的點，其實我們考慮最多的還是成本。我們將給工程師提供很多選擇，而不是隨意定下方案怎么做。我們更多會依據(jù)市場和用戶的需求來定。畢竟無論做多大的功率，只要價格沒有競爭力，廠商都不會做。
Q14：競爭對手是否有類似于C6的產(chǎn)品？
答：有，但我們是領(lǐng)導(dǎo)地位。英飛凌從上世紀90年代就開始做了，客戶很信賴我們的產(chǎn)品�，F(xiàn)在我們已經(jīng)做到了第五代，比競爭對手要先進。我們曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)過的問題，他們一定會重復(fù)。我們之所以開始研發(fā)C6是因為C3的發(fā)展空間不大，需要一個更先進的產(chǎn)品來代替它。
Q15：C6的價格策略如何？你們將如何定價？
答：我們基于成本和性能的考慮來研發(fā)C6。C6比C3便宜，是市場所決定的。
Q16：尺寸和功率往往成正比，請問英飛凌如何平衡兩者的關(guān)系？
答：要做到小晶元，我們通過做到降低損耗來達到平衡。如果損耗跟之前一樣，那是沒有競爭力的。按參數(shù)來說，晶元改變就會引起很多改變。晶元小，ID一定會小，這是物理現(xiàn)象，但是ID小不影響設(shè)計。因為ID只是一個計算結(jié)果值�！�
來源：英飛凌
http:leisuda.cn/news/2009-6/20096251102.html
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