IXYS推出170~300V溝槽柵口工藝的超級MOSFET!這些MOSFET能處理高達280A的電流,使工程師設(shè)計高功率的產(chǎn)品時,無需再使用低電流的MOSFET去并聯(lián)!這樣使得驅(qū)動電路更簡單,使系統(tǒng)使用更少的元件達致高可靠性、簡單的極佳效果。
該系列MOSFET優(yōu)化的開關(guān)特性,使他們適合于很多高功率的應用。
GigamosTM系列MOSFET使用IXYS先進的Trench工藝,從而具有極低的RDS(ON)和門電荷(QG)同時有極佳的開關(guān)特性并十分結(jié)實,好的開關(guān)特性源于使用了IXYS享譽業(yè)界的HiperFETTM工藝,使得MOSFET內(nèi)置的二極管有非常低的反向恢復電荷和高的dv/dt指標。這系列的MOSFET的最高結(jié)溫高達175℃,使它們尤其適合于電動汽車,混合動力汽車,電動摩托車電動叉車等應用!同時也可以用于大功率的DC-DC變換器,直流斬波器,開關(guān)電源,UPS等市場。
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http:leisuda.cn/news/2009-5/2009518105612.html

