即前不久瑞薩科技公司推出用于數(shù)碼相機(jī)的DC/DC轉(zhuǎn)換器M62298FP之后，經(jīng)細(xì)心研發(fā)，瑞薩科技又推出12款適用于隔離式DC/DC整流器的第十代功率MOSFET，適用于服務(wù)器、通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等電源供應(yīng)器。新推出的功率MOSFET可降低開關(guān)損耗，提升能源效率并涵蓋多種電壓范圍(40V、60V、80V、100V)。此次12款功率MOSFET采用了瑞薩科技的0.18μm第十代工藝，并已針對(duì)此應(yīng)用優(yōu)化。相較于瑞薩科技過去的產(chǎn)品(RJK1056DPB，可承受 100V電壓)，柵漏負(fù)載電容器(Qgd)約降低50%。為了降低隔離式DC/DC整流器的耗電量，必須使功率MOSFET具有較低的柵漏負(fù)載電容器 (Qgd)，柵漏負(fù)載電容器是達(dá)到較低開關(guān)耗損的關(guān)鍵因素。
隔離式DC/DC整流器的輸入及輸出電壓，依據(jù)所采用之功率 MOSFET的電壓耐受范圍而定。在隔離組件方面，隔離式DC/DC整流器包含一個(gè)主要電源供應(yīng)器做為輸入端，以及次要電源供應(yīng)器做為輸出端。新款的功率 MOSFET包括承受電壓80V及100V的產(chǎn)品，主要適用于輸入端，另有承受電壓40V及60V的產(chǎn)品，主要適用于輸出端。
新款MOSFET采用瑞薩科技經(jīng)過實(shí)證的LEPAK高效能封裝，可同時(shí)提供較低的封裝阻抗及優(yōu)異的散熱特性，避免組件過熱。相較于傳統(tǒng)的SOP-8或類似封裝，此種封裝本身有助于產(chǎn)品的低損耗特性。內(nèi)部的連接與框架直接相連，可降低封裝電感并確保適用于高頻率運(yùn)作。■
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