IR推出高效解決方案為DDR3內(nèi)存模塊提供動力

相位調(diào)低功能與DirectFET MOSFET相結(jié)合，為整個負(fù)載范圍提供最佳效率

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase ® 芯片組，為DDR3多相位內(nèi)存應(yīng)用提供全面的功率解決方案。

    新推出的IR3522雙輸出脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器內(nèi)置了I2C接口，為DDR3 VDDQ和Vtt軌提供了全面的系統(tǒng)控制。這款器件能夠與任何數(shù)目的IR3506相位IC 連接，驅(qū)動盡可能多的相位，為任何數(shù)量的DDR3雙列直插內(nèi)存模塊 (DIMMS) 提供動力，簡化了設(shè)計(jì)，減少了電路板面積，從而節(jié)省了整體系統(tǒng)成本。IR3522/IR3506芯片組通過I2C接口在VDDQ和Vtt輸出之間提供更靈活的余量，使跟蹤功能更加準(zhǔn)確。
    
    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新的XPhase解決方案是為DDR3應(yīng)用而設(shè)計(jì)，提供外形更小巧、更靈活、更易于設(shè)計(jì)的電源，而且無論在輕負(fù)載還是滿負(fù)載下，效率都比傳統(tǒng)方法更高。IR3522兼具兩方面的優(yōu)點(diǎn)，將模擬控制的精度與通過I2C實(shí)現(xiàn)的電源管理功能可編程性相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)簡單且智能的內(nèi)存供電�！�
    
    IR3522通過I2C兼容接口為VDDC和Vtt輸出提供輸出電壓編程能力，VDDQ設(shè)置點(diǎn)誤差只有+/-0.5%。IR3506則提供源及匯功能，使Vtt輸出到VDDQ的跟蹤更為準(zhǔn)確。此外，IR3506還支持省電功能 (PSI)，實(shí)現(xiàn)輕負(fù)載條件下最高的效率。
    
IR3522的功能 
    IR3522的I2C接口將Vtt跟蹤率定為±25%，可提供數(shù)字開/關(guān)控制。如果系統(tǒng)沒有I2C通信，兩個ADDR引腳可以用來選擇四個I2C地址，而兩個VID引腳就可以選擇四個不同的VREF1電壓。這款器件不僅利用由故障觸發(fā)啟動的Crowbar引腳來驅(qū)動外部NMOS器件，實(shí)現(xiàn)外部輸出電壓保護(hù)，還可通過軟停關(guān)斷功能來保證VDDR和Vtt跟蹤操作。與其它所有的XPhase IC一樣，IR3522具有一系列全面的保護(hù)功能，包括過流、過壓、開放式遙感和開放式控制。
    
IR3506的功能 
    IR3506相位IC具有7V/2A柵極驅(qū)動器 (4A GATEL匯電流) ，支持無損耗電感電流檢測。這款器件還擁有軟停關(guān)斷功能，可確保VDDD和Vtt跟蹤操作。IR3506還可在PSI 斷言模式操作中提供過流保護(hù)、集成自舉同步PFET、調(diào)試功能、PWM斜率自校準(zhǔn)、電流檢測放大器，以及均流放大器和單線雙向均流共享。

產(chǎn)品的基本規(guī)格
    
控制IC