科達實業(yè)于2007年10月與美方合資成立科達半導(dǎo)體，注冊資金為5000萬元，中方出資，占據(jù)70%的股權(quán)，美方出技術(shù)，占據(jù)30%的股權(quán)。主要產(chǎn)品為IGBT、MOSFET和FRD等半導(dǎo)體器件。
2008年6月13日，科達半導(dǎo)體以公司子公司科英電子名義申請的IGBT產(chǎn)業(yè)化項目列入國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目計劃及國家資金補助計劃，獲得國家補助資金1500萬元。
根據(jù)賽迪的估測，2004年全球功率半導(dǎo)體市場容量達到204億美金，中國為707億人民幣，同時保持著20%的年增長率，預(yù)計到2010年中國市場將占世界50%以上的份額。其中IGBT2005年市場規(guī)模達到5個億，年增長率保持在30%左右。行業(yè)的廣闊前景和存在問題為科達半導(dǎo)體的發(fā)展提供了機遇。
相比于國內(nèi)同類廠商，科達半導(dǎo)體擁有的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在技術(shù)上。首先由于有美方的強力技術(shù)支持，直接利用世界最先進的技術(shù)，能夠生產(chǎn)出國內(nèi)同類廠商無法生產(chǎn)的高端產(chǎn)品，如低壓大電流的MOSFET產(chǎn)品。即使是國內(nèi)廠商能夠生產(chǎn)的產(chǎn)品，科達半導(dǎo)體的產(chǎn)品一次流片可以基本保證完成，二次流片僅僅作為驗證和確認質(zhì)量。同類產(chǎn)品科達半導(dǎo)體的晶片厚度遠低于國內(nèi)廠商，采用的產(chǎn)品生產(chǎn)線也領(lǐng)先于國內(nèi)同類廠商。
而相比飛兆（Freescale）、意法半導(dǎo)體（ST）和英飛凌(Infenion)等國外廠商，科達半導(dǎo)體的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在成本上。
自成立以來，科達半導(dǎo)體一直采取代工的模式生產(chǎn)產(chǎn)品，公司打算在今年9月開始投資8000萬元建設(shè)部分自有生產(chǎn)線和廠房，進一步擴大產(chǎn)能。預(yù)計達產(chǎn)后可每年實現(xiàn)總產(chǎn)值16億元，凈利潤1.2億元。（電源在線 朱榮威）
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