科達(dá)實(shí)業(yè)于2007年10月與美方合資成立科達(dá)半導(dǎo)體，注冊(cè)資金為5000萬(wàn)元，中方出資，占據(jù)70%的股權(quán)，美方出技術(shù)，占據(jù)30%的股權(quán)。主要產(chǎn)品為IGBT、MOSFET和FRD等半導(dǎo)體器件。
2008年6月13日，科達(dá)半導(dǎo)體以公司子公司科英電子名義申請(qǐng)的IGBT產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目列入國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展項(xiàng)目計(jì)劃及國(guó)家資金補(bǔ)助計(jì)劃，獲得國(guó)家補(bǔ)助資金1500萬(wàn)元。
根據(jù)賽迪的估測(cè)，2004年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)容量達(dá)到204億美金，中國(guó)為707億人民幣，同時(shí)保持著20%的年增長(zhǎng)率，預(yù)計(jì)到2010年中國(guó)市場(chǎng)將占世界50%以上的份額。其中IGBT2005年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5個(gè)億，年增長(zhǎng)率保持在30%左右。行業(yè)的廣闊前景和存在問(wèn)題為科達(dá)半導(dǎo)體的發(fā)展提供了機(jī)遇。
相比于國(guó)內(nèi)同類(lèi)廠商，科達(dá)半導(dǎo)體擁有的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在技術(shù)上。首先由于有美方的強(qiáng)力技術(shù)支持，直接利用世界最先進(jìn)的技術(shù)，能夠生產(chǎn)出國(guó)內(nèi)同類(lèi)廠商無(wú)法生產(chǎn)的高端產(chǎn)品，如低壓大電流的MOSFET產(chǎn)品。即使是國(guó)內(nèi)廠商能夠生產(chǎn)的產(chǎn)品，科達(dá)半導(dǎo)體的產(chǎn)品一次流片可以基本保證完成，二次流片僅僅作為驗(yàn)證和確認(rèn)質(zhì)量。同類(lèi)產(chǎn)品科達(dá)半導(dǎo)體的晶片厚度遠(yuǎn)低于國(guó)內(nèi)廠商，采用的產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)也領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)同類(lèi)廠商。
而相比飛兆（Freescale）、意法半導(dǎo)體（ST）和英飛凌(Infenion)等國(guó)外廠商，科達(dá)半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在成本上。
自成立以來(lái)，科達(dá)半導(dǎo)體一直采取代工的模式生產(chǎn)產(chǎn)品，公司打算在今年9月開(kāi)始投資8000萬(wàn)元建設(shè)部分自有生產(chǎn)線(xiàn)和廠房，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可每年實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)值16億元，凈利潤(rùn)1.2億元。（電源在線(xiàn) 朱榮威）
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