Microsemi推出新的Power MOS 8穿通型IGBT系列

    Microsemi Corporation宣布推出一個新的高速Power MOS 8(r)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)系列，該系列器件產(chǎn)品采用穿通工藝技術(shù)，電壓為600V和900V。

    新系列的Power MOS 8(r) IGBT器件的應(yīng)用對象包括有太陽能逆變器、高性能SMPS以及諸如電焊機、電池充電器和感應(yīng)加熱之類的工業(yè)設(shè)備。

    其主要特性為：

　　·穿通工藝技術(shù)

　　·更加快速的開關(guān)工作

　　·高效率－飽和電壓低

　　·電流拖尾短－使開關(guān)損耗最小化

　　·導(dǎo)通壓降VCE(ON)低

    新的Power MOS 8(r) IGBT系列的導(dǎo)通損耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)－導(dǎo)通壓降典型值分別是2.0V和2.5V，因此使整個電路的效率得到提高。由于開關(guān)損耗低，新系列的IGBT器件能夠工作在高于100kHz的頻率—已經(jīng)非常接近功率MOSFET的工作頻率，而且新系列IGBT的成本較低。

    Power MOS 8(r) IGBT系列能夠提供單個封裝的器件，也能夠提供與DQ系列快速軟恢復(fù)二極管封裝在一起的組合器件。現(xiàn)在可提供樣品。對于批量為1K的訂貨，單個分立器件的單價為$2.09~ $7.04，組合器件的單價為$3.01~ $9.44。有關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)資料可在Microsemi的網(wǎng)站獲得：http://www.microsemi.com。