Vishay 推出業(yè)界最小占位面積20V P通道TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay 的 Si8445DB 再次將器件最小的占位空間和最佳的性能進(jìn)行了的完美結(jié)合

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。

    隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)用電池做電源的電子設(shè)備的更長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間的期望，設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝---這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特點(diǎn)。

    憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積，Si8445DB 比業(yè)界大小僅次于它的器件小20%，同時(shí)具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 時(shí) 0.495Ω～4.5V VGS 時(shí) 0.084 Ω的低導(dǎo)通電阻范圍。1.2 V 時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值降低了對(duì)電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間及功率。

    該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話(huà)等便攜式設(shè)備中的低閾值負(fù)載開(kāi)關(guān)、充電器開(kāi)關(guān)及電池管理。

    目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級(jí)功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。