超越銻化銦 采用碳可獲得電子速度最快的芯片

    馬里蘭大學(xué)的研究人員稱，碳晶體管會成為最快的晶體管，可以超越包括銻化銦在內(nèi)的所有芯片材料。

    研究人員認(rèn)為，如果為芯片選擇了合適的襯底材料，純石墨烯晶體管就可以在室溫條件下獲得最高的速度。

    在硅材料中，電子的遷移率大概是1,400 cm2/Vs，此外，目前已知的最高電子遷移率是在銻化銦材料中實(shí)現(xiàn)的，可達(dá)77,000 cm2/Vs。于此不同，馬里蘭大學(xué)的研究人員測量出石墨烯的晶格振動最為微弱，而像雜質(zhì)和襯底選擇這樣的二級效應(yīng)對遷移率的影響會比聲子更大。

    下一步，研究人員將嘗試廣泛應(yīng)用的碳化硅襯底，這種襯底可以預(yù)先制作到晶圓上。該團(tuán)隊(duì)還計劃將石墨烯沉積到金剛石襯底的頂層。他們還將嘗試空氣間隙，當(dāng)然，F(xiàn)uhrer也指出這種結(jié)構(gòu)的制作比目前商用器件要困難很多。