2008慕尼黑電子展 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)出擊

 　一年一度的慕尼黑上海電子展（electronica&ProductronicaChina）在上海新國際博覽中心隆重開幕，展會(huì)從3 月18日持續(xù)到3月20日。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，SEMICON china已經(jīng)成為各地區(qū)了解中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及全球最新動(dòng)態(tài)的重要平臺(tái)。

　　當(dāng)今最領(lǐng)先的IGBT器件供應(yīng)商，如三菱電機(jī)、塞米控、富士電機(jī)和英飛凌半導(dǎo)體等領(lǐng)先企業(yè)齊聚一堂，為廣大的中國機(jī)電產(chǎn)品設(shè)計(jì)師帶來他們開發(fā)的最新IGBT產(chǎn)品。作為IGBT產(chǎn)業(yè)的新丁，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司懷著向前輩學(xué)習(xí)的態(tài)度，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)出擊，攜其全系列電力電子產(chǎn)品，亮相 SEMICON china2008。

　　在展臺(tái)上，斯達(dá)半導(dǎo)體公司展出了公司兩大系列產(chǎn)品，IGBT模塊和MOSFET模塊。據(jù)工作人員介紹，斯達(dá)半導(dǎo)體的IGBT模塊按照耐壓等級(jí)分為600V,1200V和1700V三個(gè)系列，在每個(gè)系列里面又按照模塊內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)分成若干部分，每一種電路結(jié)構(gòu)下面有若干電流等級(jí)的產(chǎn)品。斯達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET模塊按照電路結(jié)構(gòu)分為單開關(guān)、斬波器、半橋、全橋和三相橋等系列，每一種電路結(jié)構(gòu)下面有若干電壓電流等級(jí)的產(chǎn)品。