三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM(雙列直插型智能功率模塊)、第五代智能功率模塊L1系列IPM以及多種系列的第五代IGBT模塊,在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為不同領(lǐng)域的客戶(hù)提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。
三菱電機(jī)常務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體事業(yè)本部總經(jīng)理長(zhǎng)山安治先生此次特別從日本趕來(lái)參加展會(huì),他指出:“日前中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展迅猛,作為全世界最大的電子市場(chǎng),三菱電機(jī)十分重視在中國(guó)的發(fā)展。我們將致力引入領(lǐng)先的技術(shù)及適合不同領(lǐng)域的優(yōu)秀解決方案,協(xié)助客戶(hù)面對(duì)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)!
三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū),早在1997年就開(kāi)發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)的DIP-IPM。2004年以來(lái),DIP-IPM模塊的開(kāi)發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無(wú)鉛化,并已開(kāi)發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今,為提高DIP-IPM的性?xún)r(jià)比,增加了新開(kāi)發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3A的DIP-IPM,從而使第四代DIP-IPM系列產(chǎn)品更加豐富,為白色家電等變頻基板的小型化做出貢獻(xiàn)。
三菱電機(jī)日前新推出第五代L1系列智能功率模塊,其將硅片溫度傳感器設(shè)置在IGBT硅片正中央處,實(shí)現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測(cè)。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術(shù),具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的VCE與Eoff折衷曲線(xiàn)。L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式,同樣電流電壓等級(jí)的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外,L1系列IPM還首次開(kāi)發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產(chǎn)品以滿(mǎn)足客戶(hù)節(jié)約成本的需求。
三菱電機(jī)采用最新開(kāi)發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,CSTBTTM)功率硅片,實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化,其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開(kāi)發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。
三菱電機(jī)在展會(huì)期間,還設(shè)有現(xiàn)場(chǎng)滾動(dòng)講座講解各技術(shù)方案及其應(yīng)用。
編輯:ronvy
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