三墾電氣實(shí)際演示了配備該公司試制的GaN元器件的電源電路。與利用原來的Si元器件時相比，功率轉(zhuǎn)換效率有所提高。實(shí)際演示有由功率因數(shù)校正電路（PFC）和DC-DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成的開關(guān)電源，以及逆變器電路2種。
在電源方面，通過將PFC中的Si制快恢復(fù)二極管（FRD）及MOSFET更換為GaN制肖特基勢壘二極管（SBD）及常關(guān)型（Normally-Off Type)FET，功率轉(zhuǎn)換效率“提高了2～4個百分點(diǎn)”。在演示中，將利用Si器件和GaN器件的開關(guān)電源的輸出功率設(shè)定為相同程度，根據(jù)輸入功率的不同，比較了兩種開關(guān)電源的功率轉(zhuǎn)換效率。盡管輸出電壓同為約24V，輸出電流同為約4.1A的約100W輸出功率，但利用GaN元器件時，輸入功率只有約124W，小于利用Si元器件時的約 129W。
在逆變器電路的演示中，驅(qū)動了三相交流馬達(dá)。逆變器電路利用的模塊內(nèi)置了6枚集SBD和常關(guān)型FET于1身的GaN元器件芯片。與利用Si制FRD及IGBT構(gòu)成逆變器電路時相比，功率轉(zhuǎn)換效率“提高了近1個百分點(diǎn)”
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編輯：ronvy
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本文鏈接：三墾電氣演示基于GaN元器件的電源電路
http:leisuda.cn/news/2008-10/20081088249.html
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文章標(biāo)簽： 三墾電氣/GaN功率器件/肖特基二極管
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