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Zetex高性能晶體管有效提升電源功率密度

2007/8/21 13:46:54   電源在線網(wǎng)
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    模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司,推出一系列微型NPN及PNP晶體管,以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件,占板面積為2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持,有助于改善電路效率和降低工作溫度。

    Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示:“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至100V的工作電壓,使MOSFET柵極能以更高速度、更具效率地運(yùn)行,勝過同類CMOS集成電路。它們同時(shí)還具有抗鎖定功能,從而提升整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。另外,由于產(chǎn)品采用SOT23FF封裝,因此可以安裝在最靠近MOSFET的位置,有助于降低線路電感和振鈴效應(yīng)。”

   20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保證在7A和5A電流下分別提供100和110的增益。如果采用共發(fā)射極配置連接,它們更能提供極快速的切換,傳播時(shí)間少于2ns,升降時(shí)間在10ns和20ns之間。該類產(chǎn)品的峰值電流性能高達(dá)15A,是用于柵極驅(qū)動(dòng)集成電路極具成本效益的替代產(chǎn)品。

    在用于POL DC-DC模塊和應(yīng)急照明設(shè)備的、采用自振蕩和推挽拓樸結(jié)構(gòu)的飽和式開關(guān)應(yīng)用中,晶體管的低飽和電壓能力可提供顯著的優(yōu)勢。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN產(chǎn)品為例,它在1A電流和10mA基極驅(qū)動(dòng)下的飽和電壓僅為150mV,在2A電流和40mA基極驅(qū)動(dòng)下為 135mV。

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編輯:ronvy
本文鏈接:Zetex高性能晶體管有效提升電源功率
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文章標(biāo)簽: Zetex/雙極晶體管/
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