飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出其130納米版本的智能電源技術(shù)SmartMOS 10，綜合了電源、模擬和數(shù)字電子技術(shù)，降低電源設(shè)備漏電，與先前一代的技術(shù)相比，使電池壽命延長20倍。
在手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品等移動(dòng)設(shè)備中加入這種技術(shù)將使系統(tǒng)設(shè)計(jì)能夠加入更多的電源、模擬和數(shù)字功能。
飛思卡爾表示這種技術(shù)使FET、電阻和電容之間的模擬匹配性能增加一倍，提高模數(shù)轉(zhuǎn)換效率，并能夠支持30伏電壓，提高LED背光性能、亮度和均勻性，支持加入高速低漏電數(shù)字功能。
首批SmartMOS 10產(chǎn)品有望于2008年推出。
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編輯：weiqi
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本文鏈接：飛思卡爾推出智能電源技術(shù) 可讓電池壽命
http:leisuda.cn/news/2007-6/20076289743.html
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