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飛兆PCIM China 2007上展示電源設(shè)計“解決方案策略”

2007/3/22 9:24:49   電源在線網(wǎng)
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    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 在2007年3月21至23日于上海舉行的PCIM China展會上展示其公認(rèn)的技術(shù)和設(shè)計專業(yè)能力。飛兆半導(dǎo)體在W1 展覽廳的1200號展臺上,展出了能夠提高系統(tǒng)效率和性能、并節(jié)省電路板面積和縮短設(shè)計周期的功率產(chǎn)品。其中包括業(yè)界范圍最寬的集成SPMTM器件,可在電機(jī)逆變器設(shè)計中優(yōu)化性能和節(jié)省空間;高能效鎮(zhèn)流器IC,用于HID、LED、CFL 和 LFL照明系統(tǒng);以及一系列業(yè)界領(lǐng)先的器件,能夠滿足計算和消費(fèi)市場對降低功耗不斷增長的要求。

  在PCIM China 2007展會上,郭裕亮將與活躍于中國市場的各大跨國電子公司代表,參與中國電子市場高峰論壇。該論壇的主要議題是“能源效率”,其目標(biāo)是建立一個交換信息和經(jīng)驗(yàn)的交流平臺,塑造中國電子產(chǎn)業(yè)的輝煌前景。

  此外,在此次展會上飛兆半導(dǎo)體的技術(shù)專家還將發(fā)表以下文章:

    “環(huán)境職責(zé):半導(dǎo)體供應(yīng)商如何協(xié)助滿足中國的能效規(guī)范和自愿規(guī)范”,作者:Louise Merriman、Jeff Ju 


    “電源模塊中的高功率密度”,作者:Alan Elbanhawy  


    “用于同步整流、AC/DC和DC/DC應(yīng)用帶有低Trr和Qrr的低Qgd 200到250V UltraFET溝道MOSFET”,作者:Praveen Shenoy、Bob Brockway 


    “安裝高度變化對DC-DC 轉(zhuǎn)換器FET 峰環(huán)電壓的影響”,作者:Arthur Black、Carlo Ocampo

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  來源:電子產(chǎn)品世界
本文鏈接:飛兆PCIM China 2007上展
http:leisuda.cn/news/2007-3/200732292449.html
文章標(biāo)簽: 飛兆/PCIM China
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