Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8產(chǎn)品的首批15款產(chǎn)品。這些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件設計用于包括功率因子校正、服務器和電信電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、電弧焊、等離子切割、電池充電器、半導體資本設備和感應加熱等高功率、高性能開關模式應用。
其主要優(yōu)點有：受振蕩影響減小，電磁干擾(EMI)降低；低導通電阻RDS(on) ；低柵電荷；低開關損耗；額定雪崩能量；更低的熱阻抗。
Microsemi的工程師們采用先進的設計技術優(yōu)化電容和柵極電阻，從而使一系列器件受振蕩影響程度降低、峰值轉(zhuǎn)換率更低、EMI減小、提高了dv/dt處理能力。這些優(yōu)點相結合可簡化高功率應用中對多個器件的濾波和并聯(lián)。
此外，與早期的器件相比，先進的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關損耗。
所有MOS 8器件經(jīng)過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。
因受益于恢復速度小于250ns的快速寄生二極管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優(yōu)點。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓撲。
功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET器件的額定電流范圍為19至75A，額定電壓范圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。
首批超快恢復FREDFET器件的額定電壓范圍為500V和600V，恢復時間僅為150納秒，計劃在2006年第四季度推出。額定電壓為600V和900V的功率 8 IGBT將在2007年年初推出。
其主要優(yōu)點有：受振蕩影響減小，電磁干擾(EMI)降低；低導通電阻RDS(on) ；低柵電荷；低開關損耗；額定雪崩能量；更低的熱阻抗。
Microsemi的工程師們采用先進的設計技術優(yōu)化電容和柵極電阻，從而使一系列器件受振蕩影響程度降低、峰值轉(zhuǎn)換率更低、EMI減小、提高了dv/dt處理能力。這些優(yōu)點相結合可簡化高功率應用中對多個器件的濾波和并聯(lián)。
此外，與早期的器件相比，先進的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關損耗。
所有MOS 8器件經(jīng)過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。
因受益于恢復速度小于250ns的快速寄生二極管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優(yōu)點。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓撲。
功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET器件的額定電流范圍為19至75A，額定電壓范圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。
首批超快恢復FREDFET器件的額定電壓范圍為500V和600V，恢復時間僅為150納秒，計劃在2006年第四季度推出。額定電壓為600V和900V的功率 8 IGBT將在2007年年初推出。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內(nèi)容。
本文鏈接：Microsemi發(fā)布10款MOSFE
http:leisuda.cn/news/2006-9/200692885647.html
http:leisuda.cn/news/2006-9/200692885647.html
文章標簽： Microsemi
0755-82905460
郵箱 
：
