安森美推出18款新功率MOSFET計(jì)算器件
功率MOSFET優(yōu)化直流-直流轉(zhuǎn)換并降低CPU/GPU 供電、直流－直流轉(zhuǎn)換器及高低端轉(zhuǎn)換中的臨界電流水平功耗
2006年8月15日——全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出18款優(yōu)化直流－直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計(jì)算應(yīng)用中的CPU/GPU供電，直流－直流轉(zhuǎn)換及高低端開關(guān)，如臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和服務(wù)器中。
這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個(gè)N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗，使電源效率更高。
安森美半導(dǎo)體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要，安森美半導(dǎo)體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列，以提供業(yè)內(nèi)品種最多的MOSFET。因?yàn)榘采腊雽?dǎo)體有多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進(jìn)一步確保準(zhǔn)時(shí)供貨�！�
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.40至0.87美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
NTD4813N 30 V 40 A 13 mΩ 6.9 nC
NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝- 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.71至0.91美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTMFS4833N 30 V 191 A 2 mΩ 39 nC
NTMFS4834N 30 V 130 A 3 mΩ 33 nC
NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 mΩ 25 nC
NTMFS4836N 30 V 90 A 4 mΩ 19.1 nC
NTMFS4837N 30 V 74 A 5 mΩ 14.2 nC
NTMFS4839N 30 V 66 A 6 mΩ 12 nC
NTMFS4841N 30 V 57 A 7 mΩ 11.9 nC
NTMFS4741N 30 V 67 A 8 mΩ 15 nC
NTMFS4744N 30 V 53 A 10 mΩ 10 nC
NTMFS4747N 30 V 44 A 13 mΩ 12 nC
這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個(gè)N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗，使電源效率更高。
安森美半導(dǎo)體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要，安森美半導(dǎo)體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列，以提供業(yè)內(nèi)品種最多的MOSFET。因?yàn)榘采腊雽?dǎo)體有多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進(jìn)一步確保準(zhǔn)時(shí)供貨�！�
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.40至0.87美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
NTD4813N 30 V 40 A 13 mΩ 6.9 nC
NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝- 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.71至0.91美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTMFS4833N 30 V 191 A 2 mΩ 39 nC
NTMFS4834N 30 V 130 A 3 mΩ 33 nC
NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 mΩ 25 nC
NTMFS4836N 30 V 90 A 4 mΩ 19.1 nC
NTMFS4837N 30 V 74 A 5 mΩ 14.2 nC
NTMFS4839N 30 V 66 A 6 mΩ 12 nC
NTMFS4841N 30 V 57 A 7 mΩ 11.9 nC
NTMFS4741N 30 V 67 A 8 mΩ 15 nC
NTMFS4744N 30 V 53 A 10 mΩ 10 nC
NTMFS4747N 30 V 44 A 13 mΩ 12 nC
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來源：安森美
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http:leisuda.cn/news/2006-8/2006815141236.html
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文章標(biāo)簽： 安森美
0755-82905460
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