Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列溝道MOSFET，提供D類輸出級所需的高效率、良好的散熱效果及音頻復(fù)制功能。這些N及P信道器件的額定電壓為70V，設(shè)有SOT223和DPAK封裝，能在平面電視、5.1環(huán)回立體聲系統(tǒng)等功率更高的音頻應(yīng)用中實現(xiàn)安全可靠的操作。各款器件皆可適配采用互補性或全N信道MOSFET配置的單端及橋接式負(fù)載輸出級。
據(jù)介紹，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源電壓，相比于60V零件，能為設(shè)計人員提供額外空間，適應(yīng)電源與門振鈴的大幅變化。器件的導(dǎo)通電阻甚低，在10V電壓下N、P信道器件的導(dǎo)通電阻一般分別只有130mΩ和160mΩ，因此可以經(jīng)常保持低損耗，達(dá)到高效率操作和理想的散熱效果。
該系列MOSFET把低導(dǎo)通電阻RDS(on)與快速切換及低閘電荷特性相結(jié)合，有助優(yōu)化輸出級效率，在設(shè)計完備的電路中效率可達(dá)90%以上。這些N信道和P信道器件，在10V操作環(huán)境中的關(guān)斷時間和閘漏極電荷分別為17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新型MOSFET能妥善處理高漏極電流，在單獨的場效應(yīng)管操作中體現(xiàn)最大功率。由于它們對閘驅(qū)動的要求較低，因此可在需要更高負(fù)載功率的應(yīng)用中，把場效應(yīng)管并行設(shè)置。N信道器件采用SOT223和DPAK封裝時的最大漏極電流分別為3.8和6.1安培，P信道則分別為3.7和5.7安培。
據(jù)介紹，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源電壓，相比于60V零件，能為設(shè)計人員提供額外空間，適應(yīng)電源與門振鈴的大幅變化。器件的導(dǎo)通電阻甚低，在10V電壓下N、P信道器件的導(dǎo)通電阻一般分別只有130mΩ和160mΩ，因此可以經(jīng)常保持低損耗，達(dá)到高效率操作和理想的散熱效果。
該系列MOSFET把低導(dǎo)通電阻RDS(on)與快速切換及低閘電荷特性相結(jié)合，有助優(yōu)化輸出級效率，在設(shè)計完備的電路中效率可達(dá)90%以上。這些N信道和P信道器件，在10V操作環(huán)境中的關(guān)斷時間和閘漏極電荷分別為17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新型MOSFET能妥善處理高漏極電流，在單獨的場效應(yīng)管操作中體現(xiàn)最大功率。由于它們對閘驅(qū)動的要求較低，因此可在需要更高負(fù)載功率的應(yīng)用中，把場效應(yīng)管并行設(shè)置。N信道器件采用SOT223和DPAK封裝時的最大漏極電流分別為3.8和6.1安培，P信道則分別為3.7和5.7安培。
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http:leisuda.cn/news/2006-7/20067494931.html
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