國際整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出全新60、80和100V的N溝道HEXFET MOSFET。這些產(chǎn)品適用于目前網(wǎng)絡(luò)和通信系統(tǒng)中的開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,可以將阻容乘積這一參數(shù)改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均適用于AC-DC次級(jí)同步整流、隔離式中等功率DC-DC應(yīng)用。
IR中國大陸及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出:“MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和總柵極電荷性能對(duì)整個(gè)電路性能有著直接的影響。我們的三款新型SO-8封裝器件采用了IR的溝道MOSFET技術(shù),可以大幅度降低RDS(on)和Qg,為轉(zhuǎn)換器電路帶來顯著的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)!
這些中電壓MOSFET配合IR的低電壓MOSFET和控制器IC,可組成中功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的次級(jí)芯片組。此外,當(dāng)與SmartRectifier智能整流器IR1167一起應(yīng)用于筆記本電腦適配器等AC-DC電源時(shí),這些新型SO-8封裝器件則可替代兩個(gè)大型的TO-220 MOSFET及對(duì)應(yīng)的散熱器,提升整體系統(tǒng)效率達(dá)1%。
100V IRF7853專為隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器的通信總線寬電壓輸入(36V-75V)的原邊橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作了優(yōu)化。80V IRF7854則可用于有源ORing和熱插拔應(yīng)用。三款MOSFET都是針對(duì)5-19V輸出的反激轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流和共振半橋式應(yīng)用設(shè)計(jì)的,并可以作為18-36V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的正激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)或推挽式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原邊開關(guān),在隔離式DC-DC應(yīng)用中使用。這些新型HEXFET MOSFET現(xiàn)已供貨。
IR中國大陸及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出:“MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和總柵極電荷性能對(duì)整個(gè)電路性能有著直接的影響。我們的三款新型SO-8封裝器件采用了IR的溝道MOSFET技術(shù),可以大幅度降低RDS(on)和Qg,為轉(zhuǎn)換器電路帶來顯著的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)!
這些中電壓MOSFET配合IR的低電壓MOSFET和控制器IC,可組成中功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的次級(jí)芯片組。此外,當(dāng)與SmartRectifier智能整流器IR1167一起應(yīng)用于筆記本電腦適配器等AC-DC電源時(shí),這些新型SO-8封裝器件則可替代兩個(gè)大型的TO-220 MOSFET及對(duì)應(yīng)的散熱器,提升整體系統(tǒng)效率達(dá)1%。
100V IRF7853專為隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器的通信總線寬電壓輸入(36V-75V)的原邊橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作了優(yōu)化。80V IRF7854則可用于有源ORing和熱插拔應(yīng)用。三款MOSFET都是針對(duì)5-19V輸出的反激轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流和共振半橋式應(yīng)用設(shè)計(jì)的,并可以作為18-36V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的正激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)或推挽式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原邊開關(guān),在隔離式DC-DC應(yīng)用中使用。這些新型HEXFET MOSFET現(xiàn)已供貨。
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本文鏈接:IR推出面向網(wǎng)絡(luò)通信開關(guān)式轉(zhuǎn)換器N溝道
http:leisuda.cn/news/2006-6/200661392514.html
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