意法半導體（STMicroelectronics）日前發(fā)表了采用可從封裝上下兩面散熱的“PolarPAK”技術(shù)的功率MOSFET“STK850”和“STK800”。對于PolarPAK技術(shù)，已從美國威世科技公司（Vishay Intertechnology）獲得授權(quán)。漏極電流分別為30A和20A。通過采用PolarPAK，與該公司相同封裝面積的老產(chǎn)品相比，可處理2倍的電流。
所設想的用途是通信設備和計算機等配備的開關(guān)電源。作為STK850來說，柵電壓為10V、漏極電流為15A時，導通電阻最大僅有2.9mΩ。而STK800輸入側(cè)的靜電電容為1380pF。柵極電荷量僅為13.4nC，主要面向非絕緣型降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制FET。
現(xiàn)已開始供應樣品。每千個批量購買時的單價，STK800為1.2美元，STK850為1.6美元。外形尺寸均為5mm×6mm×0.8mm。
所設想的用途是通信設備和計算機等配備的開關(guān)電源。作為STK850來說，柵電壓為10V、漏極電流為15A時，導通電阻最大僅有2.9mΩ。而STK800輸入側(cè)的靜電電容為1380pF。柵極電荷量僅為13.4nC，主要面向非絕緣型降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制FET。
現(xiàn)已開始供應樣品。每千個批量購買時的單價，STK800為1.2美元，STK850為1.6美元。外形尺寸均為5mm×6mm×0.8mm。
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http:leisuda.cn/news/2006-5/2006526102618.html
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