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意法半導(dǎo)體將在功率MOSFET上采用雙面散熱封裝

2006/5/26 10:26:18   電源在線網(wǎng)
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  意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)日前發(fā)表了采用可從封裝上下兩面散熱的“PolarPAK”技術(shù)的功率MOSFET“STK850”和“STK800”。對(duì)于PolarPAK技術(shù),已從美國(guó)威世科技公司(Vishay Intertechnology)獲得授權(quán)。漏極電流分別為30A和20A。通過(guò)采用PolarPAK,與該公司相同封裝面積的老產(chǎn)品相比,可處理2倍的電流。

  所設(shè)想的用途是通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)等配備的開關(guān)電源。作為STK850來(lái)說(shuō),柵電壓為10V、漏極電流為15A時(shí),導(dǎo)通電阻最大僅有2.9mΩ。而STK800輸入側(cè)的靜電電容為1380pF。柵極電荷量?jī)H為13.4nC,主要面向非絕緣型降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制FET。

  現(xiàn)已開始供應(yīng)樣品。每千個(gè)批量購(gòu)買時(shí)的單價(jià),STK800為1.2美元,STK850為1.6美元。外形尺寸均為5mm×6mm×0.8mm。
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