意法半導(dǎo)體(ST)日前宣布，該公司采用90nm制造工藝的小頁面NAND閃存系列產(chǎn)品全線上市。ST的128、256和512兆位閃存產(chǎn)品已向90nm先進(jìn)制造工藝的成功轉(zhuǎn)型，同時(shí)還為數(shù)碼相機(jī)、PDA、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)、低密度閃存卡、U盤、打印機(jī)、機(jī)頂盒、數(shù)字電視、汽車多媒體系統(tǒng)和多媒體手機(jī)等產(chǎn)品提供了節(jié)省成本的存儲解決方案。
NAND閃存產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度極快，并具有數(shù)據(jù)可擦除功能。該系列產(chǎn)品的尋址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出是通過一條8位總線傳輸信號，這種多路復(fù)用技術(shù)不僅可以減少封裝引腳的數(shù)量，還允許系統(tǒng)使用一個(gè)模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積，即可使系統(tǒng)自動適應(yīng)高密度或低密度的閃存設(shè)備。
ST還提供一套軟件工具鏈，幫助用戶快速開發(fā)使用新閃存芯片的產(chǎn)品，同時(shí)還有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。工具包括糾錯(cuò)代碼(ECC)軟件、壞塊管理(BBM)、平均讀寫算法、文件系統(tǒng)OS本機(jī)參考軟件和硬件仿真模型，其中壞塊管理能夠識別失敗的擦寫操作并將無效區(qū)塊上的數(shù)據(jù)復(fù)制到有效區(qū)塊上；平均讀寫算法通過在所有的區(qū)塊中分配擦寫操作可以減緩芯片老化速度。
存儲器由16千字節(jié)的區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊再細(xì)劃分為512字節(jié)的頁面，每個(gè)頁面還預(yù)留16字節(jié)的可被頁面讀寫和編程的存儲空間。預(yù)留字節(jié)通常用于糾錯(cuò)代碼、軟件標(biāo)記或壞區(qū)塊識別。數(shù)據(jù)復(fù)制程序模式可以使存儲在一個(gè)頁面的數(shù)據(jù)直接編程到另一個(gè)頁面，而無需外部緩存，當(dāng)一個(gè)頁面編程操作因?yàn)閰^(qū)塊損壞而失敗時(shí)，數(shù)據(jù)復(fù)制功能就用于移動損壞的數(shù)據(jù)。新產(chǎn)品還提供一個(gè)區(qū)塊擦除指令，擦除時(shí)間僅2ms。每個(gè)區(qū)塊規(guī)定擦寫循環(huán)100,000 次，數(shù)據(jù)保存期限10年。
新產(chǎn)品具有“無需介意芯片啟動”(Chip Enable Don't Care)功能，這個(gè)功能可以簡化微控制器的接口設(shè)計(jì)，以及NAND閃存與其它類型存儲器(NOR閃存和xRAM)的整合方法。用于速度更快的代碼和工作內(nèi)存，可使用成本更低廉、密度更高的NAND閃存存儲大容量文件。設(shè)備制造商在產(chǎn)品出廠前可以編寫一個(gè)唯一設(shè)備ID，用戶可編程序列號功能支持目標(biāo)應(yīng)用日益提高的安全性能。
ST的90nm制造工藝小頁面NAND閃存系列目前已投入量產(chǎn)，訂購100,000件芯片，單價(jià)分別為3美元(128Mbit)、4美元(256Mbit)和5美元(512Mbit) 。
NAND閃存產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度極快，并具有數(shù)據(jù)可擦除功能。該系列產(chǎn)品的尋址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出是通過一條8位總線傳輸信號，這種多路復(fù)用技術(shù)不僅可以減少封裝引腳的數(shù)量，還允許系統(tǒng)使用一個(gè)模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積，即可使系統(tǒng)自動適應(yīng)高密度或低密度的閃存設(shè)備。
ST還提供一套軟件工具鏈，幫助用戶快速開發(fā)使用新閃存芯片的產(chǎn)品，同時(shí)還有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。工具包括糾錯(cuò)代碼(ECC)軟件、壞塊管理(BBM)、平均讀寫算法、文件系統(tǒng)OS本機(jī)參考軟件和硬件仿真模型，其中壞塊管理能夠識別失敗的擦寫操作并將無效區(qū)塊上的數(shù)據(jù)復(fù)制到有效區(qū)塊上；平均讀寫算法通過在所有的區(qū)塊中分配擦寫操作可以減緩芯片老化速度。
存儲器由16千字節(jié)的區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊再細(xì)劃分為512字節(jié)的頁面，每個(gè)頁面還預(yù)留16字節(jié)的可被頁面讀寫和編程的存儲空間。預(yù)留字節(jié)通常用于糾錯(cuò)代碼、軟件標(biāo)記或壞區(qū)塊識別。數(shù)據(jù)復(fù)制程序模式可以使存儲在一個(gè)頁面的數(shù)據(jù)直接編程到另一個(gè)頁面，而無需外部緩存，當(dāng)一個(gè)頁面編程操作因?yàn)閰^(qū)塊損壞而失敗時(shí)，數(shù)據(jù)復(fù)制功能就用于移動損壞的數(shù)據(jù)。新產(chǎn)品還提供一個(gè)區(qū)塊擦除指令，擦除時(shí)間僅2ms。每個(gè)區(qū)塊規(guī)定擦寫循環(huán)100,000 次，數(shù)據(jù)保存期限10年。
新產(chǎn)品具有“無需介意芯片啟動”(Chip Enable Don't Care)功能，這個(gè)功能可以簡化微控制器的接口設(shè)計(jì)，以及NAND閃存與其它類型存儲器(NOR閃存和xRAM)的整合方法。用于速度更快的代碼和工作內(nèi)存，可使用成本更低廉、密度更高的NAND閃存存儲大容量文件。設(shè)備制造商在產(chǎn)品出廠前可以編寫一個(gè)唯一設(shè)備ID，用戶可編程序列號功能支持目標(biāo)應(yīng)用日益提高的安全性能。
ST的90nm制造工藝小頁面NAND閃存系列目前已投入量產(chǎn)，訂購100,000件芯片，單價(jià)分別為3美元(128Mbit)、4美元(256Mbit)和5美元(512Mbit) 。
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本文鏈接：ST 90nm小頁面NAND閃
http:leisuda.cn/news/2006-2/200622893635.html
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