意法半導體日前針對汽車市場推出一個新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的 STripFET™ 專利技術，實現(xiàn)了最低的導通電阻。 新產(chǎn)品 STD95N04 是一個40V的標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5毫歐�！�
這個80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動器和ABS（防抱死制動系統(tǒng)）設計的。與采用傳統(tǒng)的溝道技術制造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價格和導通電阻性能上極具競爭力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內，能夠滿足標準閾壓的驅動要求。
STD95N04符合汽車電工理事會（AEC）組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃ ，100%通過雪崩測試。
ST新的STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎，導通電阻和功耗比上一代技術更低，占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應MOS晶體管將采用相同的技術，以滿足DPAK (30V, 邏輯電平, 典型導通電阻在4.5V時等于4.5毫歐 ) 和 D2PAK (40V,標準電平, 典型導通電阻在10V時等于2.0毫歐) 的需求。
采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現(xiàn)已投入量產(chǎn)。 訂購10,000件，單價0.38美元。
這個80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動器和ABS（防抱死制動系統(tǒng)）設計的。與采用傳統(tǒng)的溝道技術制造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價格和導通電阻性能上極具競爭力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內，能夠滿足標準閾壓的驅動要求。
STD95N04符合汽車電工理事會（AEC）組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃ ，100%通過雪崩測試。
ST新的STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎，導通電阻和功耗比上一代技術更低，占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應MOS晶體管將采用相同的技術，以滿足DPAK (30V, 邏輯電平, 典型導通電阻在4.5V時等于4.5毫歐 ) 和 D2PAK (40V,標準電平, 典型導通電阻在10V時等于2.0毫歐) 的需求。
采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現(xiàn)已投入量產(chǎn)。 訂購10,000件，單價0.38美元。
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本文鏈接：ST降低車用功率場效應MOS晶體管電阻
http:leisuda.cn/news/2006-2/200621685655.html
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