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IR最新MOSFET芯片組提升兩相DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器效率

　　國(guó)際整流器公司(IR)近日推出兩款新型30V HEXFET功率MOSFET，可將30V/45A兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET解決方案的輕負(fù)載效率提升2%，用來驅(qū)動(dòng)筆記本電腦及其他高性能計(jì)算應(yīng)用中的Intel和AMD最新型處理器。

　　這兩款新型無鉛器件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗，可實(shí)現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個(gè)控制和2個(gè)同步MOSFET的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型SO-8 MOSFET 還適用于其他采用PWM控制的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

　　IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“中低功率水平下，高效率對(duì)筆記本電腦非常重要，因?yàn)樗鼈兪亲钪髁鞯碾姵仳?qū)動(dòng)產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對(duì)這方面的需要，在5－15A的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗，從而降低系統(tǒng)的工作溫度，這一點(diǎn)對(duì)便攜式計(jì)算也相當(dāng)重要�！�

　　新的芯片組包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET，每個(gè)器件都經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，以發(fā)揮其最大效能�？刂芃OSFET具有更低的開關(guān)損耗(柵電荷)，同步MOSFET則具有低傳導(dǎo)損耗(低導(dǎo)通電阻)及低逆向恢復(fù)電荷。

　　IRF7823PbF是一款經(jīng)過優(yōu)化的控制場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，柵電荷(Qg)和柵-漏極電荷(Qgd)都非常低，分別只有9.1nC和3.2nC。

　　IRF7832ZPbF對(duì)同步FET功能進(jìn)行了優(yōu)化，4.5V下的典型導(dǎo)通電阻極低，只有3.7m?，適用于高達(dá)12A的應(yīng)用環(huán)境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現(xiàn)在均已供貨。以1萬片訂貨量計(jì)算，IRF7823PbF每片0.5美元，IRF7832ZPbF為0.88美元，價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。兩種器件均為無鉛產(chǎn)品，符合有害物質(zhì)管理規(guī)定(RoHS)。

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